刻蚀机|四类设备已经达国际领先！尹志尧详解中微半导体的成功秘诀！( 二 )

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2、中微半导体的产品布局
作为国内知名的半导体设备厂商，中微半导体一直以来也是聚焦于等离子刻蚀设备、化学薄膜沉积设备，已经有四种比较成熟的产品，并且这四种设备已经进入国际前三强的位置，有的甚至到了第一的位置。

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根据中微半导体公布的数据显示，2018到2020年，等离子刻蚀设备、化学薄膜沉积设备和检测设备在集成电路前段设备当中的总体产比已经超过45%，并且将超过50%。其中，等离子刻蚀机占比20-25%，在该领域中微半导体的产品已经实现了全面覆盖；化学薄膜沉积设备占比15-17%，在该领域中微半导体和拓荆科技也已实现全面覆盖；检测设备市场占比11-13%，在该领域中微半导体和睿励科学仪器实现了部分覆盖。

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下图是中微半导体最近开发的CCP电容性高能等离子刻蚀机Primo HD-RIE，有6米长，5米宽，大概3米高，有16吨重。

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尹志尧表示，中微的刻蚀机在中国本土市场3D NAND晶圆厂的市场占有率已经做到了35%。在国内两个最先进逻辑器晶圆厂，我们的市场占有率已经接近40%。

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在台湾两家晶圆厂当中，一个是逻辑线路器件晶圆厂，在14nm产线上，中微的刻蚀机占比已经达到了24%，排名第二位。在另一家NAND晶圆厂，中微刻蚀机的占比也已经达到了37%，也进入了第二位。
“我们不断改进了反应器设计和设备性能，从2014年到2021年，我们的刻蚀设备最难做的是高身宽比细孔，从20:1做到40:1，现在可以突破做到60:1的身宽比，要做成更高可靠设备还是需要努力。”尹志尧说到。

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中微的另一类型刻蚀设备就是ICP电感性低能等离子刻蚀机Primo nanova，可以用于大批量生产存储芯片和逻辑芯片的前道工序。该设备采用了中微具有自主知识产权的电感耦合等离子体刻蚀技术和许多创新的功能，以帮助客户达到芯片制造工艺的关键指标，例如关键尺寸（CD）刻蚀的精准度、均匀性和重复性等。可以为7nm、5nm及更先进的半导体器件刻蚀应用提供比其他同类设备更好的工艺加工能力，和更低的生产成本。

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此外，中微半导体近年来也开发出了深硅刻蚀机及MOCVD设备，并且很快进入了市场。特别是在MOCVD有机金属化合物气相沉积设备方面，中微半导体已经发展到了第三代。

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据尹志尧介绍，在2018年四季度，中微半导体的MOCVD设备在国际氮化镓基MOCVD市场占有率已经达到了70%以上。

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尹志尧表示，由于LED、MiniLED、MicroLED市场的需求快速增长，MOCVD设备开始被广泛应用于LED、MiniLED、MicroLED的制造，因为主要需要解决发光元件即可，不需要像制造逻辑或存储芯片那样复杂，因此也吸引了众多的企业入局。
根据统计数据显示，近十年以来，国内已有54家公司和研究所曾宣布开发MOCVD设备，但是只有中微半导体成功量产。