半导体|国产碳化硅替代机遇显现第三代半导体群雄逐鹿资本入局

《投资者网》葛凡梅
近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的第三代半导体，因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而备受关注。碳化硅芯片作为目前主流的第三代半导体芯片，被广泛应用于新能源汽车等新兴高端行业。
受益于市场对碳化硅芯片的需求加大，第三代半导体已成为群雄逐鹿之地，不仅国际巨头“跑马圈地”，国内企业也不甘落后，纷纷布局碳化硅，扩张产能，试图以国产替代争夺市场份额。
今年10月，浙江晶盛机电股份有限公司（下称“晶盛机电”，300316.SZ）拟定增募资不超57亿元，投资碳化硅衬底晶片等生产项目；嘉兴斯达半导体股份有限公司（下称“斯达半导”，603290.SH）拟定增募资不超35亿元，投资碳化硅芯片研发及产业化项目等。
事实上，碳化硅市场目前已经形成了供不应求与国产替代的产业竞争格局，给国内碳化硅相关企业带来了快速发展的良好机遇，2021年以来，派恩杰、泰科天润等国产碳化硅功率器件制造企业也获得千万元级别融资。
加码碳化硅领域扩张产能
在半导体领域中，半导体材料已经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅、锗为代表的IV族半导体；第二阶段是以GaAs和InP为代表的III-IV族化合物半导体，其中GaAs技术发展成熟，主要用于通讯领域；第三阶段主要是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，也被称为第三代半导体产品。
半导体材料经历三个发展阶段

碳化硅作为第三代半导体代表材料，相关业务布局正在如火如荼地展开，在资本市场上，半导体类上市公司紧锣密鼓进行融资，助力碳化硅业务发展。
具体来看，10月25日，晶盛机电发布公告宣布拟向特定投资者发行募资不超过57亿元，其中31.34亿元用于碳化硅衬底晶片生产基地项目，5.64亿元用于12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目，4.32亿元用于年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目，15.7亿元用于补充流动资金。
根据公告，晶盛机电本次募投碳化硅项目为年产40万片6英寸及以上尺寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底晶片，预计投入33.6亿元，项目建设期60个月，预计达产后新增销售收入23.56亿元，年平均利润总额5.88亿元，内部收益率14.7%（税后），投资回收期（静态）（含建设期）为8.3年，投资回收期（静态，不含建设期）为3.3年。
无独有偶，斯达半导也在积极布局碳化硅芯片业务，其主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片研发生产。今年10月12日，该公司关于非公开发行股票申请获得中国证监会核准批复。斯达半导本次计划定增募集资金总额不超过35亿元，碳化硅芯片研发及产业化项目就是此次定增资金的用途项目之一。
根据定增预案，目前斯达半导车规级碳化硅模块已经获得国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点，将对公司2022年-2028年车规级碳化硅模块销售增长提供持续推动力。为进一步提升产品的竞争力，公司将通过该项目实施对进口碳化硅芯片进行替代。
《投资者网》注意到，除了斯达半导体、晶盛机电外，还有华润微、赛微电子、闻泰科技、三安光电、士兰微、露笑科技、扬杰科技、亚光科技、聚灿光电，东尼电子等一众知名上市公司亦在布局第三代半导体产业。
举例来看，闻泰科技的碳化硅产品今年5月宣布，目前已经交付了第一批晶圆和样品；华润微7月宣布，正式向市场投放1200V和650V工业级碳化硅肖特基二极管功率器件产品系列，同时其6英寸商用碳化硅晶圆生产线正式量产；三安光电投资总额为160亿元、包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，已于7月20日开工；

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