阿斯麦|独占全球光刻机90%！ASML一路狂奔依然看不到任何对手( 二 )

作为全球第一家使用ASML EUV光刻机进行大批量生产的公司，台积电声称其拥有全球50%以上的EUV光刻系统安装量和60%的累计EUV晶圆生产量。

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Source: Anandtech
台积电计划继续保持在EUV光刻机数量上的领先地位，其已下订单订购的“至少”13台EUV光刻机将会在今年交付。随着其积极的资本支出计划，台积电似乎将继续保持EUV产能领先地位，而其他芯片制造商也正努力迎头赶上。
其中一个奋力追赶的是三星，该公司目前在EUV光刻机安装量方面落后于台积电。据业内官员称，三星只拥有台积电一半的数量。
目前三星正使用EUV光刻机来制造一些DRAM和7nm/5nm逻辑芯片。凭借其在代工厂上的 EUV 经验，三星已于2020 年 8 月率先在 1z 节点上采用 EUV 进行DRAM生产。随着三星在逻辑制程和DRAM制造中扩大EUV光刻机的使用，EUV光刻机的购买量在未来几年将会持续增加。
英特尔也正在部署EUV系统用于其7nm节点生产芯片，预计将在未来几年内进一步增加ASML的EUV光刻机订单。
与此同时，DRAM巨头SK Hynix和美光也计划在量产中使用EUV光刻机。SK 海力士于今年7月开始量产基于 1a 节点的 8 Gb LPDDR4 移动 DRAM 。今年7 月，由于 EUV 设施投资预付款，美光将其2021财年的资本支出指导从 90 亿美元上调至 95 亿美元。
未来几年，随着对高端芯片（例如 5G智能手机芯片、高性能计算芯片、先进DRAM）的需求增加，EUV光刻机的渗透率将不断提高，ASML将成为半导体升级周期的主要受益者。
根据日本瑞穗银行（Mizuho）的预测2022年和2023 年，主要逻辑厂商资本支出的 EUV 部分将分别上升至13% 和15% 。
然而，目前ASML 每年的生产能力仅为50多个EUV光刻系统，其EUV光刻机一直处于供不应求当中。据了解，仅去年一年，三星就订购了20台ASML EUV光刻机，以实现其2022上半年量产3nm芯片的计划。此前三星副会长李在镕还亲自飞往 ASML 总部敦促其加快EUV光刻机的交付。这也凸显了AMSL在EUV光刻领域的垄断地位。
2nm争夺战的关键：ASML新一代EUV光刻机
由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长（13nm）相比DUV 浸入式光刻系统（193 nm）有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。
自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产，乃至未来的3nm工艺都是由ASML的NXE:3XXX系列EUV光刻机提供的助力。
目前，台积电、三星、英特尔等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满足高性能计算和5G通信的先进芯片需求。而2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代的EXE:5000系列EUV光刻机。
相比第一代的EUV光刻机（NXE:3XXX系列）来说，新一代的EUV光刻机的物镜的NA（数值孔径）将从0.33提升到0.55，使得芯片制造商能够生产2nm及以下更先进制程的芯片，并且图形曝光更低的成本、生产效率更高。
据了解，新一代的EUV光刻机大约有一辆公共汽车那么大，整个机器包含10万个部件和2公里长的电缆。每台机器发货需要40个集装箱、3架货机或者20辆卡车。造价相比第一代的EUV光刻机也更高，达到了1.5亿美元。
ASML新一代EUV光刻机的原型机，将在2022年进行测试，预计将会在2023年投入运行。
三星在10月初初已宣布，将在2022年上半年量产3nm工艺，并计划在2025年抢先台积电量产2nm 。不过，台积电在近日的法说会上回应称，2025年台积电2nm制程不论是密度或是效能，都将是最领先的技术。

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