没必要太担心，中国光刻机没有想象中差劲，如今仅次于荷兰ASML？

美国主动让出市场，国产科技产业开始崛起。
别太担心，虽然美国一直尝试通过各种手段阻碍国产科技产业的发展，甚至限制台积电、荷兰ASML公司向国产企业提供产品。
但是国产光刻机远远没有想象的那般差劲。目前，上海微电子的光刻机已经超过日本的佳能、尼康，仅次于荷兰ASML公司。

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由于封锁主动让出市场，这可能是第一次有人针对“美国禁止本土企业向国产科技企业出口产品、限制台积电代工华为芯片”的消息进行评论。
要知道，一直称霸市场的美国主动放弃市场，可能是另有所谋，但这反而促进了国产科技产业的崛起。
基于美国的不断制裁，国内科技市场难以产生巨大的反转。
美国针对华为展开的制裁，其实是为了威胁我们在一些方面妥协，因为我们目前依然无法自主制造光刻机，所以无法制造大量芯片，这体现了我国在半导体行业的发展十分被动。

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国产企业取得突破，上海微电子正在研发光源技术。
随着技术实力的不断提升，虽然中芯国际已经实现了14nm芯片的量产，但因为没有EUV光刻机，所以始终无法制造7nm以下的芯片。
好在我们已经打开了新的大门，早在新中国成立之后就展开了研发，国产企业推出的硅单晶更是比日本企业早了两年。
由于我国是一个人口大国，企业的发展目标都是为了赚钱，我们需要综合考虑市场成本、就业问题等。
因此初期对于市场规模庞大的产品更加重视，而一些市场规模较小、技术难度较大的产品一般都是交给各个国家、研发机构研发。

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被人们称之为“现代光学工业之花”的光刻机，目前我们已经具有实力制造除了EUV光刻机之外的其它光刻机。
虽然荷兰ASML公司近乎垄断了整个EUV光刻机市场，但其出货量只有44台，可见EUV光刻机市场的发展规模多么有限。
更为关键的是， EUV光刻机的各种零件制造成本十分昂贵，这也是没有哪家企业愿意量产的原因之一。
为了打破海外公司的技术垄断，上海微电子选择站在风口，其研发的90nm光刻机十分先进，目前正在研发EUV光刻机的光源技术。

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预计全产业链未来两年实现，上海微电子可以制造11nm芯片。
虽然上海微电子与ASML公司之间依然存在巨大差距，但上海微电子正在全力追赶，预计这两年将交付首台国产28nm沉浸式光刻机，这说明我国在光刻机行业已经超过了日本企业，与ASML公司的差距也在逐渐缩小。
值得一提的是，上海微电子即将交付的这台光刻机采用了ArF光源，套刻精度大约是1.9nm ，基本可以制造11nm工艺的芯片。
随着科技的不断发展，目前我们已经实现了光刻胶、抛光液、抛光垫、蚀刻液、显影液等核心材料的国产替代，并且在全球光刻机市场站稳脚跟。

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虽然上海微电子目前的支柱产品依然是90nm光刻机，但其用于28nm、14nm工艺芯片的光刻机成品率存在巨大的提升空间，这说明上海微电子已经研发了28nm、14nm工艺的光刻机，只是成品率还没有达到既定目标，未来还将进一步完善。
预计芯片行业涉及的全产业链将在未来两年全部实现，只要我们掌握了高精尖光刻机的制造技术，那么肯定可以抓住市场机会。何况美国主动让出市场，这为国产半导体行业的发展提供了莫大的帮助。