碳化硅|一文读懂：第三代半导体行业现状和投资机遇( 四 )

五、碳化硅产业链全景

全球格局分析：欧美日起步早、中国发展速度快、美国全球独大，80%碳化硅来自美国

美国：保持全球独大，拥有Cree、II-VI、Dow Corning、Transphorm等世界顶尖企业，占有全球碳化硅70~80%产量；

欧洲：拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件、应用产业链，独有高端光刻机制造技术、拥有英飞凌、意法半导体、Siltronic、IQE等优势制造商；

韩国：重点研发和生产高纯度SiC粉末、高质量SiC外延材料以及硅基SiC和GaN功率器件;

日本：技术力量雄厚，产业链完整，是设备和模块开发的领先者，拥有松下、罗姆半导体、住友电气、三菱化工、瑞萨、富士电机等知名厂商;

中国：发展较快，近年已经进入产业化和收益阶段，正在快速追赶国际巨头；

上市公司方面，有三安光电，北方华创等企业，大部分为未上市企业，但最近3年发展迅速，其中衬底企业山东天岳、天科合达已在上市申报阶段。

企业成立的时间上，普遍晚于欧美日巨头15-20年以上，在衬底、外延工艺方面处于落后位置。国内主要技术源头：中科院、山东大学、中电科体系、清华、及海外企业归国创业人才等。

产业形态分析：SiC厂商以全产业链的IDM巨头为主、IDM占器件90%以上

化合物半导体芯片性能与材料、结构设计和制造工艺之间的关联性较强，且三代半导体设计难度不如数字电路复杂，因此很多企业采用IDM模式。

例如Rohm和CREE整合了SiC从衬底到模组的全产业链环节；Mitsubishi Electric和Fuji Electric整合了芯片到终端应用系统。

全球大部分器件及应用市场份额被IDM厂商Infineon、CREE、Rohm、意法半导体等少数企业瓜分。

2020年CREE占据衬底市场约52%份额、器件市场约21%份额；CREE和Infineon、Rohm共占器件市场的63%。CREE占据碳化硅基GaN超过24%市场份额。

数据来源：网络公开数据，华映资本整理

海外及中国台湾地区SiC产业链主要玩家及龙头企业

数据来源：方正证券研报、网络公开数据

CREE-全球三代半导体全产业链龙头企业

科锐（CREE）成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克:CREE），为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。

在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1300多项美国专利、2900多项国际专利和389项中国专利；在SiC领域拥有绝对的领导地位，在2018年SiC晶片市场占比超过62%；收购整合wolfspeed后基于 SiC 衬底的 GaN 具有较强技术优势，超20%市场份额全球第一。

罗姆-日本三代半导体领军企业

日本ROHM是碳化硅MOSFET分立器件和模组领域第二大公司，提供650V~1700V范围内各种产品；在商业化碳化硅生产后仅七年时间，ROHM推出了沟槽式碳化硅MOSFET，成为全球第一家量产此类产品的厂商。

II-IV-美国三代半导体衬底+外延代表性企业

II-VI Deutschland公司属于II-VI集团，于1971年在美国宾夕法尼亚州创立，生产红外和 CO2激光光学元件和材料，也是全球较大的激光镜片制造商。