光刻机|又一领域我国全球领先！曾对美禁售15年，还是EUV光刻机核心元件

近年来，由于中国产业发展的需要，以及资本的大规模投入，我国的半导体产业实现了飞速的发展，过去在半导体制造方面，也引入了大量的高级人才，因此在制成研发和生产方面越走越快。

例如，中芯国际在梁孟松的加入下，很快突破了14nm的研发，还大幅加快了量产进度，缩短了中芯国际与台积电的制程代差，而且随后的N+1也迫近了7nm技术。
然而由于美国的制约，全球最先进的光刻机公司ASML限制了EUV光刻机对中国的销售，原本中国快速的芯片制程研发进度，被打乱了节奏。
而我国本土最大的光刻机企业上海微电子，目前能生产的最大制程也只是90nm ，由于在光刻机整个配套产业链相关方面的落后，使我国在发展半导体方面阻碍重重。

ASML之所以听命于美国，主要原因就在于美国掌握了光刻机之中的控制软件，而光客机所需要的激光光源KBBF ，我国却是全世界第1个掌握的国家。
上个世纪90年代，中国的激光光源技术就进入了全球先进行列，甚至还曾对美国禁售，美国也尝试了被中国卡脖子的滋味。
而让我国激光光源技术进入全球先进水平的，正是陈创天院士，而他发现的KBBF晶体，更是给全球光刻机市场掀起巨变。

1937年，陈创天出生在浙江奉化一个小村庄，父亲在村里做会计，是村里有名的知识分子，或许受到父亲影响，陈创天从小就热爱学习， 1954年陈创天考上沈阳最好的高中——沈阳二中。在这所高中，陈创天爱上了物理，并走上了物理探索之路， 1956年陈创天如愿进入北大物理系。
1965年，已经毕业多年的陈创天发现，中国在非线性光学材料研究方面，远落后于其他国家，陈创天立马在导师建议下，主攻非线性光学材料研究。
经过长达三年的反复试验，陈创天得出阴离子基团理论，并基于该理论带领团队，仅用2年时间就成功合出BBO晶体。

谈及晶体，大众可能比较陌生，但晶体却和人类的生活紧密相连。对于激光，大家都非常熟悉，激光不仅应用于美容美肤领域，还应用到军防、半导体、工业等领域。
而应用于不同领域的激光，波长和能量都有所不同，激光能够波长长短包括能量，都取决于晶体。简单地来说，激光离不开晶体。
而陈创天团队合成的BBO和LBO晶体，较于传统ADP晶体，不仅性能稳定，且透光范围更加广，当时国外广泛采用ADP晶体，合成BBO晶体的出现，意味着中国在晶体领域，已经追上了欧美发达国家的水平。

最终， BBO、LBO晶体分别于1987、1989年获美国光电子产业界颁发的十大光电子产品奖。
推出BBO晶体后，陈创天并未懈怠，经过6年时间，陈创天团队再次合成了KBBF晶体。 KBBF晶体波长相当短，最短可达150nm ，而当时全世界最领先的深紫外线激光器的波长是193nm 。 IBM公司、斯坦福大学，布鲁克海文国家实验等都已向中科院来函，要求提供KBBF棱镜耦合器件。
掌握这项技术后，中国就没有出口KBBF晶体，这是我国首次对其他国家进行技术封锁。对此美国学者甚至在杂志上表示，中国将KBBF晶体藏了起来。直到2016年，美国先进光学晶体公司才宣布研制出氟代硼铍酸钾晶体KBBF 。