这两年啊|高通被人骂了两年火龙，到底是谁的锅？( 二 )

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和苹果不同，高通这两代的SoC都是找三星代工生产。
别看三星，台积电啊都称呼自己的技术叫5nm 。
但是在如今FinFET的时代，工艺的名称和芯片的物理参数其实并没有直接对应，更像是一种技术节点的称呼。
这两家5nm工艺做出来的晶体管密度差距，里面甚至还能塞下一个英特尔的14nm 。
单从晶体管密度来说，台积电的5nm工艺可以做到在每立方毫米里摆下1713万个晶体管，也就是171.3MTR 。

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而三星的5nm却只能做到126.5MTR的水平。
在这里我提一点额外的小知识，之所以在晶体管密度上有这些差别，这和两家厂商的技术迭代路线有关。

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我们长话短说，对台积电来讲，我们可以理解成台积电的7nm->5nm是一次完整的技术迭代路线。
另一边的三星则是激进了许多，在他们的计划中，可能7nm->3nm才是一次完整的技术迭代，他们打算首发直接在3nm工艺上全新的GAA 。
所以对于三星来讲，它的5nm工艺相比自家的7nm进步就略显保守。
不过说实话，从单个晶体管的角度来讲，这点差距其实也还好。
还有人认为三星工艺的良品率也值得说道说道。
前俩月，一个新闻把托尼给看笑了。。。

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不是，你良品率为啥低，你居然自己心里没数？？？
根据@wccftech报道，三星晶圆代工部门在4nm制程上的良品率只有35%的水平。
而还在研发中的三星3nmGAA技术良品率更是仅仅10%~20%的水平。

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根据DigiTimes报道，三星在5nm、4nm、3nm工艺上都存在着良品率谎报的情况。
咱甚至不清楚，现在这个良品率是谎报前，还是谎报后的数字。
也不知道是不是这个原因，吓得高通决定把4nm的8Gen1plus来交给台积电来代工。

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哦对了，那么隔壁台积电的4nm工艺良品率是多少呢？
70% 。。
当然了，我们在这儿分析工艺和密度差距，只能说算是在旁敲侧击的推理三星和台积电工艺的差距。
但是在托尼看来，这次发热的“黑锅” ，可不能全丢给三星的代工。
>/还是架构顶不住？
为什么托尼觉得全都怪三星是不对的呢？
因为天玑9000来了。
曾经被我们寄予厚望，交给台积电代工的天玑9000 ，功耗也不是非常理想。
数据来源，极客湾▼

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在一些测试场景下，甚至还打不过自己的小兄弟天玑8100 。
所以。。。问题会不会是出在它们采用的ARM公版架构上？
托尼给大家分析一下啊，骁龙8Gen1、天玑9000这两款SoC采用的架构都非常一致，用上了ARM公版的1+3+4的结构。
也就是1个X2超大核+3个A710大核+4个A510小核。

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光看发布会上讲的性能嘎嘎顶，但是这几个核发热起来是个什么水平呢？
只能说是惨不忍睹。
在Geekbench5的测试下，大核A710的功耗能跑到2.1w ，而超大核X2的单核功耗甚至能突破4w 。