这两年啊|高通被人骂了两年火龙，到底是谁的锅？

这两年啊，想换安卓的小伙伴，肯定都听过这么一段吐槽：
“888 ， 8Gen1 ， X都不买！”

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虽然这是一句玩笑话，但也能看得出来，这两年安卓的旗舰产品，给大家折腾的有多“爽” 。
发布会上的“最强性能”每年都能听到，但功耗却也飙的停不下来。
咱把时间再往前拨三年。
那时候，谁没事儿会吹自己用了多好多好的散热黑科技哦。。

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但是没办法，大家骂归骂，想换安卓机也没啥别的选择。
但是吧，心里还是不由得想问一句。
高通这两年，到底为啥这么热？

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>/发热问题不可避免
咱知道，只要做功，就一定会带来发热。
而对芯片来说，这发热则主要由动态功耗和静态功耗两部分构成。
动态功耗（DynamicPower）主要指的是芯片在工作时产生的热量，包括电路的充放电，晶体管工作状态的跳变。
静态功耗（StaticPower）主要是指芯片中各种类型的漏电流和竞争电流等等。
拿开关来举例子的话，动态功耗就像是咱们反复开关这个开关而产生的功耗。

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而静态功耗就像是这个开关为了维持它当前的状态（是导通还是截止），静置在原地所产生的功耗。
那咱们做的芯片嘛。。。
自然是希望晶体管密度越来越高，对应的芯片的性能越来越强，功耗越来越低。

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然而，芯片才不和你讲什么“理想” 。
这几年咱们把“开关”越做越小，动态功耗的的确确是降低了不少。
但是随着芯片设计进入纳米领域之后，静态功耗的漏电问题就开始翻车，而且越来越严重。
归其原因，可以理解为“开关”做的太薄了，挡不住两边的电子“偷渡” 。。。

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所以想要减少这漏电呢，就需要整点新的结构，新的材料。
重新构建这又薄，又能阻挡“偷渡”的开关。
在芯片做到28nm的时候，这个技术就是FinFET（鳍式场效应晶体管）。

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而现在工艺慢慢做到5nm ， FinFET也不太管用了。
漏电水平仿佛一个圈，重新回到当年28nm工艺时的困境。
这时候，大家伙倒腾出来解决问题的未来新工艺，叫做GAA（全环栅晶体管）。

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这俩工艺和之前的区别，简单来讲就是从二维拓展到三维。
增大了接触范围，能够更好的控制漏电。
不过吧，可能是出于保守和以及工艺验证的原因，目前还没人用上GAA 。
所以目前没得选，大家的5nm就只能继续用着老工艺FinFET 。
缝缝补补来硬抗这漏电问题。

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>/到底是工艺不行么？
那既然大家都是硬抗这漏电，那为啥隔壁人家隔壁苹果就可以把能耗比控制的那么好？
这就不得不提广为人知的第一个背锅侠了：