半导体|联电：在成熟工艺上过分内卷，开始押注第三代半导体( 二 )

天天喊着弯道超车，有种自欺欺人的感觉，最起码我们应该了解，第三代半导体生产设备材料和现在的CPU制造设备、工艺、材料等不大致上是一样的，恐怕知道了这一点我们就会发现，在光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉淀等方面，我们还是需要一步步进行推进、攻关的，同样也是快不得的。
一段让人唏嘘的故事说起来现在的芯片代工，很多人想到的都是台积电，还有三星，感觉到联电的芯片制造工艺已经渐渐落后了，其实，这也是有一段让人唏嘘的故事。
作为世界半导体发展的先驱，联电一直都是全球领先的芯片制造商，即便是台积电，早前也是落后联电一个身段的，两者在芯片制造工艺方面，联电也曾多次获得领先，比如联电就是世界上第一家导入铜制程产出晶圆、生产12英寸晶圆的公司，也是世界上第一个生产出65nm制程芯片的公司，同时也是第一家采用28nm制程技术产出芯片的公司。
遗憾的是28nm却成为了一个分水岭，之后，联电开始落后，现在已经被台积电远远抛在了身后。如果我们再仔细了解一下28nm这个工艺节点，就会发现，很多代工厂在这时候都会遇到一个坎，要么是迈不过去，要么是迈过去之后，接下来的突破也乏力了。

这个既和设备工艺材料技术相关，也和其后的开发投入成本暴增相关，而且也和市场需求减弱相关，毕竟迄今为止，大部分的芯片需求还是在28nm以及之前的工艺上。
在艰难推进到14nm工艺之后，联电算是彻底跟不上了，即便有了12nm的部分突破，联电在2018年的时候，还是无奈宣布退出更先进技术工艺上的争夺，转而在专注在成熟工艺上进行深耕。这一点，格芯在后来也是步了联电的后尘。这也再次说明，在先进制程工艺方面，不是随便玩玩就可以的，很多企业也玩不起。
联电大举购置新机台扩产，是为了提升产能？可以说从联电宣布放弃7nm以及更先进的工艺之后，这条路已经基本上被他们自己断绝了，虽然不能绝对排除随着技术上的慢慢积累，联电还会在先进工艺方面更进一步，但是截止到目前是看不到任何迹象的。
那么联电此次大举引入新设备的目的就是为了成熟工艺制程？其实也不对，因为从联电宣布转战成熟工艺之后已经这样做过了，而现在他们有了新目标：第三代半导体。
现在氮化镓、碳化硅等第三代半导体方兴未艾，这让联电看到了机会，毕竟他们所押注的正是成熟工艺，还有一个好处，相比于28nm等成熟工艺，在第三代半导体技术方面还是有些难度的，而联电都已经掌握了，此时下场，既防止了在成熟工艺上的过分内卷，也能够在第三代半导体领域获得更好的经济效益，占领了抢占市场的先机，联电就是获得了未来很长一段时间的发展动力，这个也是当初从“看重收益不看重新工艺”转变的初衷。
市场上成熟的设备、材料，加上联电本有的工艺技术，已经足矣，联电正是看到了这一点，所以才会大举购置新机台。

综合所述，我们也可以看出来，在一些设备方面，前几代半导体的工艺流程类似，尤其是在设备方面，更是大差不差，在第一代半导体上所需要的制造设备，在第三代半导体上同样需要，对于我们来说，每一代半导体都需要我们加油追赶。
只是目前来说，在第三代半导体方面工艺需求不高，所以在相关设备方面，需求不是那么紧迫，这让我们看到了可以获得领先的机会，不过不能排除今后也会面临设备落后的问题，所以耽搁不得，不抓住这个机会，今后同样会有很大的麻烦。