闪存芯片|短短3年时间，从32层跨越到128层，造出中国最先进的闪存芯片

【闪存芯片|短短3年时间，从32层跨越到128层，造出中国最先进的闪存芯片】由于起步较晚，我国半导体产业一直处于追赶阶段，芯片主要依赖进口。例如在存储芯片方面，数据显示，我国一年进口存储芯片的费用就能达到2500亿美元。

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放眼全球存储芯片领域，美、韩两国掌握着绝对的话语权，三星、海力士等存储芯片供应商更是凭借技术领先优势垄断全球。
为了打破垄断，早些年间我国就开始计划加码半导体产业，不少芯片企业顺势成立，但能做出成绩的企业却寥寥无几，长江存储就是其中之一。
日前，“2020北京微电子国际研讨会”召开，在会议中长江存储CEO杨士宁表示：集成电路从二维向三维发展是必行趋势。

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这并非杨士宁通过现阶段市场走向得出的结论，早在长江存储成立之时，杨士宁就有了这样的想法。
公开资料显示，长江存储成立于2016年，主营NAND Flash的研发设计，并与中科院微电子所在3D NAND上展开合作研究。

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可见，早在4年前杨士宁就开始从三维集成方面寻求突破口，试图打破美韩在存储芯片领域的垄断局面。虽然长江存储是仅仅成立4年的市场新秀，但该公司的研发能力和成果却不容小觑。
笔者了解到，在成立后的第一年，也就是2017年的年底，长江存储便推出了国产首个真正意义上的32层3D NAND闪存。

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次年，一直注重技术研发和创新的长江存储，又推出了自研Xtacking架构，借助该架构，长江存储的64层堆栈式闪存于2019年第三季度实现量产。
此后，长江存储没有再推出新产品，而就在业内外部分人士唱衰长江存储之际，长江存储在2020年上半年宣布了一个重磅消息。

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2020年4月，长江存储公布128层QLC 3D NAND闪存芯片---X2-6070。此消息一出，全球闪存领域一片哗然。
要知道，3D NAND的升级过程目前为32层、64层、96层以及128层四个阶段，大多数闪存芯片制造商都会一步步升级。

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但长江存储却跳过了一个阶段，直接从64层跨越到128层，并且探索成功，这是一个相当疯狂的决定。
更值得注意的是，从32层到128层，长江存储只用了短短3年时间，就走完了其他大多数闪存制造巨头6年才走完的路。

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这让长江存储成功跻身世界一流梯队，市场份额排行全球第七。虽然市占率远不及前六大闪存原厂，但这已经是国产闪存芯片崛起的初期征兆。
文/谛林审核/子扬校正/知秋