目前看来 ， 如今的GAAFET只能支撑1nm制程工艺 ， 那么1nm以后又该咋办呢？
不过就在12月11日 ， IBM和三星额公布了全新晶体管技术 ， 垂直晶体管 ， 把晶体管竖着造 。

蓝色源极在下 ， 红色的漏极在上 ， 左右土黄色的是门 ， 也就是栅极 。
这种设计能增加晶体管数量堆叠密度 ， 并且让运算速度提升两倍 ， 同时通过让电流以垂直方式流通 。
IBM和三星说 ， 采用垂直晶体管造出来的芯片 ， 可以支持手机一个星期只充一次电 ， 或者支持某些能源密集型的任务 ， 包括加密工作 ， 嗯？4K 120帧跑《原神》？手机挖矿指日可待？
另外 ， 台积电也宣布 ， 通过铋金属特性突破 1nm 制程生产极限 ， 让制程技术下探至 1nm 以下 。

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