肉桂酸|《炬丰科技-半导体工艺》光刻胶的化学性质( 二 )

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表4聚β-单皮酸偏二氧基乙酯类光致抗蚀剂的分析实例。使用方法与聚硅酸乙烯酯（例如KPR，TP R）相同。光交联如下所示，与KPR，TPR相同，

负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂都是在（1）H202+H2SO·，（2）热H2SO4，（3）（NH4）2Cr207+H2SO4等无机化学物质中溶解剥离的。正性光致抗蚀剂在光照、照射后或原样，在稍浓的碱中溶解剥离。但是，在Si中有碱金属污染的担忧的情况下，无机化学物质溶解金属，因此有不能使用的工序。此时，使用卤素溶剂、表面活性剂和由苯酚等组成的有机化学物质。上述使用药品的物品（1）在处理上有危险，（2）使用昂贵的药品，并且废液的处理很麻烦。（3）由于药品剥离后使用大量的有机溶剂进行洗涤，因此从石油化学产品的价格上涨的角度来看也是不利的。另一方面，正性抗蚀剂中容易溶于温水且可回收的剥离液已上市销售，这一点适用于避免使用等离子的工艺。
半导体、集成电路的超高密度化被积极地应用于今后的开发中，因此越来越需要亚微米的加工。对此，如果有至今为止的深刻经验的话，暂时具有经济性的光电过程，通过使用（包括剥离），几乎可以实现目标。为此，我们希望进一步致力于高质量，高精度和高稳定性的光致抗蚀剂，特别是正型抗蚀剂和OSR型负型抗蚀剂，并且开发能够熟练使用它们的外围设备也是同样重要的。在此之前的微细加工中，我们认为将正式采用电子束光刻胶、X射线光刻胶等。

肉桂酸|《炬丰科技-半导体工艺》 光刻胶的化学性质( 二 )

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