众所周知,在芯片制造过程中,最重要的半导体设备就是光刻机。为什么说他最重要,一方面是因为它占所有制造设备成本的22%左右,同时也占工时的20%左右。
另外一方面是全球仅有ASML一家能够生产EUV光刻机,而EUV光刻机是进入到10nm以下工工艺的必备品,所以找ASML买到EUV光刻机,是每家芯片制造厂商必须要干的事。

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目前ASML已经推出了三代EUV光刻机,分别是TWINSCAN NXE:3400B 、NXE:3400C、NXE:3600D。这三代EUV光刻机的数值孔径为0.33,理论上能够生产的芯片精度,最多在2nm左右。
所以一旦进入到2nm以下,也就是埃米(1埃米=0.1纳米)时,那么ASML还得研发更高精度的光刻机才行。而更高精度的光刻机,称之为High NA(高数值孔径)EUV光刻机。

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事实上,ASML也早就有准备了,ASML下一代高精度的EUV光刻机型号叫做EXE:5000,数值孔径为0.55,可用于2nm以下的芯片制造,比如1.4nm(14埃米)、1nm(10埃米)等工艺。
在2020年底的时候,就有媒体报道,ASML其实已经基本研发完成,正在开始试产,预计到2022年就会商用。而近日imec正式表示,ASML的EXE:5000光刻机,会在2022年-2023年提供。
但晶圆厂商基于这台光刻机,生产nm以上的芯片,至少要到2025年之后,其认为的工艺路径进程是2025对应A14(14?=1.4纳米),2027年为A10(10?=1nm)、2029年为A7(7?=0.7纳米)。

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【 intel|1nm光刻机要来了,ASML或明年推出,每台售价约20亿】此外,行业分析师Alan Priestley则表示,ASML的0.55NA光刻机(NXE:5000)的价格会高达3亿美元(约合20亿元),是当前0.33NA光刻机的两倍。
想必接下来,各大晶圆代工厂们,特别是台积电、三星、intel又要抢光刻机忙了,毕竟全球仅ASML能够生产,谁能提前买到0.55NA光刻机,也就相当于拿到了进入埃米级工艺的门票,就能取得先机。
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