|国产8K全画幅CMOS正式发布，大疆与长光辰芯共同研发

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【|国产8K全画幅CMOS正式发布，大疆与长光辰芯共同研发】国产8K全画幅CMOS正式发布
大疆与长光辰芯共同研发
之前网上一直在传
国产全画幅CMOS和大疆DJI CAM的消息，
今天，他来了。

长光辰芯正式发布
8K超高清、120fps ，全画幅图像传感器-GCINE4349 。
“国产8K超高清图像传感芯片及系统应用”由长光辰芯作为牵头，联合华睿科技、大疆创新及大疆百旺共同承担，于2019年由工信部批准立项，历时三年。研制具有自主知识产权的8K 超高清CMOS图像传感器芯片及摄像系统，打破我国超高清成像芯片及系统长期依赖国外进口、发展严重受限的局面。

8K超高清芯片，为专业摄像而生
GCINE4349实物图

GCINE4349是长光辰芯首款旗舰产品，堆栈背照式图像传感器技术，高灵敏度，具有110dB（18+档）超高动态范围， 8K模式下高达120 fps视频录制

GCINE4349采用4.3um像素设计，全分辨率为4900万像素（8192 x 6000），光学尺寸为全画幅（35.2 x 25.8mm），支持 8K和4K分辨率输出，同时该芯片支持横向全宽（8192像素）8K DCI、宽银幕电影（2.4：1 ， 8K）等多种成像格式。原生8K 分辨率（3：2）可以使得通过相机上的过采样功能实现6K或4K的不同分辨率。

为满足视频成像对高帧率的需求， GCINE4349采用64对LVDS同时进行传输数据，其单通道数据率为1.2Gbps ，使其在8K模式下帧频高达120fps ， 4K模式下帧频高达240fps 。
GCINE4349采用BSI 卷帘快门像素设计，其单个像素满阱电荷可以达到40ke- ，其单幅动态范围可以到82dB ，同时为了满足单反相机等静态拍摄场景的需求，该芯片还可对多达4个后续子帧进行片上求和存储运算，将满阱提升到160k e- ，进一步拓宽其动态范围以及提升图像的信噪比。

图像传感器的生产工艺分为普通前照式、背照式以及堆栈式，堆栈式不同于前照式/背照式的单层晶圆结构，其采用双层晶圆进行上下堆叠，两层晶圆之间通过Cu-Cu互联的技术，将上层像素晶圆的信号传输至底层电路进行最终读出。 GCINE4349是长光辰芯首次在大靶面芯片上使用堆栈式技术，堆栈式技术的加持，使其可以获得更好的量子效率和角度响应，同时实现了超高分辨率、超高速读出。

GCINE4349可实现高达110dB（18+档）的超高动态范围。双增益HDR模式，即图像传感器在同一次曝光下，同时输出两幅不同增益的图像，在该模式下，可实现高达87dB（14+档）的动态范围。用户可根据不同的使用场景，选择适合的工作模式。

GCINE4349将成为高端影像、DSC、专业摄影、无人机等其他高端应用的理想选择。