text":"在上月的ITF大会上 , 半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布的蓝图显示 , 2025年后晶体管进入埃米尺度(? , angstrom , 1埃 = 0.1纳米) , 其中2025对应A14(14?=1.4纳米) , 2027年为A10(10?=1nm)、2029年为A7(7?=0.7纳米) 。
当时imec就表示 , 除了新晶体管结构、2D材料 , 还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机 。 其透露 , 0.55NA的下代EUV光刻机一号试做机(EXE:5000)会在2023年由ASML提供给imec , 2026年量产 。
不过 , 本月与媒体交流时 , ASML似乎暗示这个进度要提前 。 第一台高NA EUV光刻机2023年开放早期访问 , 2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产 。
【京东方|新一代革命性EUV光刻机提前登场!价格翻番:Intel抢破头】据悉 , 相较于当前0.33NA的EUV光刻机 , 0.55NA有了革命性进步 , 它能允许蚀刻更高分辨率的图案 。
分析师Alan Priestley称 , 0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元(约合19亿) , 是当前0.33NA的两倍 。
早在今年7月 , Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户 , Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法 , 并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破 。
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