芯片|全球首个3nm工艺芯片横空出世，台积电被逆袭！

2026-05-16

近日，在国际电路大会上，三星突然向全世界展示了自家的3nm制程工艺芯片，名为SRAM存储芯片，据悉这是全世界目前首个成型的3nm工艺芯片，大小已经缩小到了56平方毫米，容量则为32个GB。据悉，此前一直处于领先地位的台积电，今年陆续为各大厂商代工5nm工艺的顶级芯片，现在突然冲出来三星搅局，确实让资本市场突然激荡起来。

文章插图

据悉，这次三星推出的3nm制程工艺芯片，也就是SRAM存储芯片，已经突破了传统的晶体管结构，用上了更先进的GAAFET技术，不仅性能迅速飙升，而且让功耗方面降到了一半。我们可以参考基于FINFET打造的未来台积电3nm工艺，三星的GAAFET会更有优势。但目前来说，三星的新工艺良品率并不高，量产商用还需要大量时间研究。

文章插图

虽然三星抢先发布了3nm工艺芯片，但此前台积电也曾透露过自己的3nm工艺芯片，据悉台积电这款产品相比目前最新的5nm芯片，性能会提升11%，而功耗则会降低27%。对比来看，还是三星的数据比较抢眼。

文章插图

不过回到今年的高端芯片来看，骁龙888就是采用的三星5nm制程工艺，但整体表现并没有十分抢眼的地方，反而还带来了一些诟病。但再看看搭载台积电5nm工艺的处理器，整体性能更加稳定、成熟，发布时间也更早。虽然，三星这次好像优势明显，但其实并不意味着三星就已经超越了台积电，毕竟一个是研发一个代工，这样的对比意义不大。不过就订单和发展前景来看，芯片代工领域，台积电目前仍然有巨大优势。

【芯片|全球首个3nm工艺芯片横空出世，台积电被逆袭！】
文章插图

上一篇：特斯拉|特斯拉召回“先斩后奏” 供应商躺枪？

下一篇：集成电路|虞爱华与王东升商谈深化合作并见证签约