固态硬盘|数字存储完全指南——固态硬盘的历史、结构与原理( 六 )

施加电压和检测电压，以读取中间储存结构的电荷量，所以我们叫它们 N+ 源（左边，加检测电压时电子从这边流入）和 N+ 漏（右边如果导通，电子从这边漏走到检测电路），由于它俩是对称的，所以源和漏极可以互换。

中间则是利用特殊工艺制作的储存结构，在硅底座上面「生长」出一块完全绝缘的二氧化硅，然后通过另一种特殊工艺在中间生成可以储存电荷的材料，比如多晶硅或者其它金属。然后在整个结构的顶上再加一层铜做的控制级（用来加写入电压）。

顶上这层就叫做控制栅，而储存电荷的材料就叫做浮栅。之所以叫浮栅，因为它是整个被二氧化硅包裹的，像是浮在水里面一样，如果有电子跑进了浮栅，在不施加高电压的情况下，由于周围都是绝缘材料，它是跑不了的，所以电子在里面能够保存数十年。顺便一讲运行内存 RAM 这些断电就没数据的颗粒，结构也和这个类似，就是少了中间的浮栅而已，至于为什么不弄我们放到其它储存设备那部分讲。
看到这里你已经把机械硬盘，结构原理相关的内容都学得差不多了，实际上固态硬盘的结构原理部分涉及到的知识，甚至比我介绍要复杂得多。