器件|半导体行业深度研究报告( 十 )

英飞凌：全球最大功率IDM，布局SiC/GaN

英飞凌是全球最大的功率器件供应商。碳化硅布局方面，2018年公司收购初创公司Siltectra，其研发了冷切割技术，可高效处理晶体材料，并最大限度减少材料损耗可用于切割碳化硅晶圆，使单片晶圆可产出的芯片数量翻倍，公司推出了650V和1700V的CoolSiC MOSFET系列，2020年12月公司与GTAdvanced签订碳化硅晶锭五年供货协议，进一步确保未来碳化硅材料供应需求。2020财年英飞凌来自于碳化硅营收达到8000万欧元。

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英飞凌在氮化镓上提供丰富的解决方案。市场上GaN方案主要分成三种方式，分别是：分立式+外部驱动器；多片集成，开关和驱动采用不同的衬底，但是封装在同一个壳子里；单片集成，氮化镓的开关、驱动、其他器件作为同衬底的一个解决方案。而英飞凌能满足不同解决方案需求。公司对于碳化硅技术和氮化镓采取稳扎稳打推进的方式，利用覆盖从前端到后端的研发能力，从材料到封装端确保自身优势。

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华润微：国内首家量产SiC商用产线

公司是国内最大的MOSFET功率器件公司,2020年实现营收约70亿元，实现归母净利润9.6亿元。在碳化硅方面，公司通过华润微电子控股参股国内碳化硅外延片企业瀚天天成3.2%的股权;2020年7月正式发布1200V和650V工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列，1200V产品电流等级从2A到40A，主要聚焦于太阳能、UPS电源、充电桩、储能、车载电源等应用领域，650V产品电流等级为4A到16A，主要瞄准服务器电源、通讯电源等高效开关电源应用市场；与此同时公司的国内首条6英寸商用SiC晶圆产线正式量产。在GaN方面，公司利用现有的全产业链和足够的现金流支持从衬底材料、器件设计、制造工艺，封装工艺全面的硅基氮化镓的研发工作。

参考资料来自：国金证券、驭势资本研究所

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