半导体疯狂扩产面临隐忧！存储器涨势反转，或迎价格暴跌( 二 )

那么，主导存储市场快速扩张的主角是DRAM、NAND，还是两者兼而有之？本文尝试进行这种分析。
二、DRAM出货量急剧上涨，今年Q2达历史新高下图显示了DRAM季度出货额和出货量的变化。

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DRAM季度出货额及出货量变化（~2021 Q2）
汤之上隆判断存储器市场的急剧增长由DRAM引起。这是因为，从2020年Q4到2021年Q2，DRAM的出货量开始呈现近乎垂直的趋势。这与下图中的存储器出货量非常相似。

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按类型划分的季度半导体出货量（1991-2021 Q2）
那么DRAM出货量为何会飙升呢？从2010年到2018年前后，DRAM出货量一直保持在40亿个左右，但从2019年Q3左右开始大幅增加，2021年Q2达到55.3亿个的历史新高。
汤之上隆认为，造成这种情况的原因如下：2012年以来，DRAM厂商实际上集中在三星、SK海力士和美光科技三家公司，并通过暗中达成一致意见进行生产调整，保持出货量在一定水平。
不过，随着DRAM主战场从2019年下半年开始从移动端转移到服务器端，上述三大厂商放弃了暗中串通，重新展开竞争。结果，三家公司都增加了出货量，导致世界范围内DRAM出货量急剧上涨。除了这三大DRAM厂商的竞争之外，新冠肺炎疫情的影响也应涉及其中。
三、NAND出货量变化相对平稳，不是存储市场快速扩张主因我们再来看看NAND季度出货额和出货量变化。自2000年以来，NAND出货量几乎呈线性增长，但这一增长到2016年后停止了。
汤之上隆认为，这是由于NAND从2D到3D的转变。在2D上，存储单元已经小型化，芯片尺寸也已经变得更小。因此，芯片进一步微缩后，1片晶圆上能获得的NAND数量也随之增加。

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NAND出货价值和出货量变化（~2021 Q2）
但从2016年开始，NAND实现3D化。为了增加存储容量，3D NAND采用了存储单元垂直堆叠的方式，因而芯片尺寸基本不变。故汤之上隆认为自2016年NAND走向3D化，其出货量已趋于平稳。
NAND出货量在存储泡沫的2018年Q3达到约30亿个，但随后在2019年Q1下降至22亿个，又在2019年Q4恢复到30亿个。然后受新冠肺炎疫情影响，它在2020年Q2减少到约26亿个，之后开始稳步回升，在2021年Q2创下约33亿个的历史新高。
【半导体疯狂扩产面临隐忧！存储器涨势反转，或迎价格暴跌】也就是说，在疫情爆发前后，DRAM出货量从大约40亿个上升到55亿个以上，而NAND出货量仅从30亿个上升到33亿个。因此，可以说存储器市场迅速崛起的主要源头是DRAM，而不是NAND。
四、DRAM现货价变化如何影响存储器市场？从当前分析来看，DRAM出货量的增加与2020年Q4-2021年Q2存储器市场的急剧扩张有关。那么，这与DRAM价格的有多大关系呢？下面，我们来对DRAM的现货价和合约价进行分析。
首先，下图显示了2020年12月31日至2021年9月17日期间各种DRAM的现货价格。这里DDR是Double Data Rate的缩写，表示DRAM规格，DDR3的传输速率是DDR2的2倍，DDR4的传输速率是DDR3的2倍。

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各种DRAM现货价格（2020年底-2021年9月17日）
从上图可以看出，DDR4 DRAM比DDR3更贵，同一DRAM规格时，集成度高的价格更高。
接下来，将2020年12月31日的DRAM价格标准化为“1”，观察各种DRAM价格的变化。到2021年3~4月，两种DDR3_2Gb DRAM价格上涨了2.4-2.5倍以上。其次价格上涨的两款DDR3_4G，涨幅在1.9~2倍以上，两款DDR4_4G紧随其后，涨幅在1.8~1.9倍。