光刻机|美国万万没料到，中国光刻机后发制人！自主研发取得重大突破( 二 )

因此，美国的阻扰，让中国无法得到阿斯曼的EUV光刻机。面对这种困境，中国科研人员不会坐以待毙，而是积极进取，开始进行艰苦的自主研发过程。随着中国制造出国产辐射光源设备，使得EUV光刻机的光源问题得到了较好地解决。不过， EUV光刻机还剩两个核心部件技术，那就是双工件台和EUV光刻镜头。
相比光源问题， EUV光刻镜头的技术难点还要更大，因为其工艺精密度要求更高。 EUV光刻镜头需要技术更高的制造流程，而且要处理数量众多的硅基晶体管芯片。因此， EUV光刻机的光刻镜头的光洁度要求非常高，其光洁度绝不能超过50皮米。这个技术，难度极大，不仅中国没有掌握，美国人也没有。甚至在全球范围内，只有德国的卡尔·蔡司公司掌握了这项技术。
而且还有一个问题，那就是卡尔·蔡司公司内部，拥有制造EUV光刻机镜头的技术的工程人员，也不过20来人。优秀的技术人员如此稀少，蔡司公司自然对其格外珍视，不会让这些技术人员为中国提供技术服务或者技术指导。
【光刻机|美国万万没料到，中国光刻机后发制人！自主研发取得重大突破】但中国科研人员坚信，有困难就解决困难，没有什么事是中国人不能做到的！
在这种情况下，中国科学院研发出真空镀膜设备，可以将膜厚精度控制在0.1纳米范围内，也就是100皮米内。虽然这个程度，离EUV光刻机镜头光洁度的50皮米要求，高了一倍，但已经是中国科研人员的重大突破！

随着这项技术的国产化，中国在EUV光刻镜头领域，首次获得了高精度纳米量级膜层镀膜工艺。而且更令中国人民欣喜的是，中科院此次完成的真空镀膜设备，无论是核心零部件，还是生产整个设备的系统，包括运行机制和相关技术，全部都是中国自主研发，没有任何外国因素。这台真空镀膜设备，是百分百的中国制造！分析人士表示，中科院制造的这台真空镀膜设备，可以应用于光刻机镜头的制造。这是中国在光刻机领域的重大突破，极大减缓了我们在光刻机整体制造上面临的巨大压力。
随着高能辐射光源和真空镀膜设备的国产化，中国向着芯片完全自主化，向前迈出了关键性的一步。
在今年6月，中科院高能光源设备安装已经完成了70% ，其配套平台也将紧锣密鼓建造中。预计在明年年初，这套设备将全部完成，并投入使用。
值得一提的是，高能辐射光源不仅可以应用于光刻机制造和芯片领域，还在航天领域有广泛的应用。
随着中国实现这项技术的突破，高端芯片完全自主化的进程得到了重要的设备保障！
中国研发的高能辐射光源和真空镀膜设备，不仅实现了全部国产化，还是中国科研人员自主设计，其制造也是完全国产。显而易见，随着中国在芯片领域的不断发展，后续谁也别想在高端芯片上对中国“卡脖子” 。因为在技术和设备制造上，中国人自己就可以全部搞定！
在芯片光源领域上，中国科学院和中科仪获得的成就，使得中国在高端光学设备上的领域空白被填补。事实上，从芯片制造的起步到现在，中国一直在跟缺芯少芯做抗争，自身半导体行业发展一直都受到影响。然而，分析现在国际芯片龙头企业的情况，他们的处境也过得非常不畅。
荷兰的阿斯麦公司，其CEO在声称即使拿到图纸，中国人也制造不出EUV光刻机后，又声称美国的芯片断供只会让中国加速进行自主研发，最快三年中国人就能获得自己的EUV光刻机技术。