打破垄断!国产多年为0%,年进口6000亿,今终于从美韩嘴里掏出3%( 二 )

从技术来看，三星电子毫无疑问代表着业内最高水平，目前三星电子已经实现1znm（15nm），并且三星电子已经计划在下半年采用最先进的14nm节点及紫外线光刻技术，不过长鑫存储已经可以实现19nm ，自身也拥有强大的技术实力，虽然目前长鑫存储技术水平难以和国际大厂相比，但其也拥有国内顶尖技术研发团队，团队内有超过200位专家来自美国、台湾等各个国家和地区，都是DRAM芯片领域的技术大拿。

除此以外，长鑫存储还十分注重自主知识产权积累，目前这家厂商已经申请了超前项技术专利，为诸多知名国际厂商服务，从以上几方面来看，长鑫存储拥有中国市场这一坚强后盾，且能依靠自身实力成功在海外知识产权封锁下突出重围。
花开两朵，各表一枝。
长江储存的nand闪存和EMMC、USF嵌入式储存一样也发展的如火如荼，目前长江储存已推出致钛系列固态硬盘，面向市场销售64层NAND闪存固态硬盘。

不过可喜的是，嘉合劲威已经发布了采用长江储存128层3DTLCNAND的闪存颗粒，这意味着长江储存已经终于量产128层闪存了，虽然三星、SK海力士早在2019年就量产了相关产品，并且已经量产了192层的闪存，但是长江储存目前已经即将要追平。
更可喜的是最近，上海中天弘宇发布了“二次电子倍增注入浮栅”技术是一项重大发明，实现了中国存储器底层技术零的突破，获得了倪光南院士的好评，并且该项技术属于全球首创技术，拥有国内外完全自主的知识产权，目前已经在中美日韩等国家和地区注册了原创性专利。

【打破垄断!国产多年为0%,年进口6000亿,今终于从美韩嘴里掏出3%】可以说中国企业正在一点一点地弥补过去中国在储存技术相关的缺失，而且成绩都是获得了国人的肯定和支持。