命名|工艺命名大改，英特尔在下什么棋？( 二 )

英特尔在这一次的活动上也介绍了将会获得来自 ASML 的第一台High-NA EUV 光刻机，将定义、构建和部署下一代高数值孔径 EUV（High-NA EUV）。在此基础上，英特尔将在其中的英特尔4节点上全面采用EUV工艺进行制造，并且将在后续的英特尔3节点上进一步将EUV工艺应用到其他的生产。

英特尔4之后是英特尔3工艺节点，英特尔3工艺节点将相比较于上一代提供 18% 的 perf/watt 提升。实现更高的能量传递，减低能量和信号的损耗。英特尔3工艺预计将在2023年下半年推出。

随后的英特尔的20A工艺节点，其中的A代表为埃，为 0.1nm，20A 也就是 2nm，预计将在2024年的上半年推出。在这一个英特尔20A的工艺上，英特尔将引入RibbonFET 和 PowerVia 两种创新工艺。

其中的PowerVia 是英特尔独有的并且是业界首个背面电能传输网络，可消除晶圆正面供电布线来优化信号传输。RibbonFET 技术能加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，并且实现更小的体积占用。
英特尔官方也宣布，从英特尔20A 更进一步的英特尔18A 节点也已在研发中，将于 2025 年初推出，它将对 RibbonFET 进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。作为半导体领域的巨头，我们可以期待其推出的产品。

【命名|工艺命名大改，英特尔在下什么棋？】总结：英特尔的这一次活动对其工艺路线有了进一步的秀出，让未接对其的IDM 2.0战略有了进一步的认知。除此之外英特尔也通过自己的技术产品对其能力有更好的展示，未来英特尔还将会有进一步的动作，下期将各位带来进一步的分析。