三星3nm|号称功耗降一半！曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电

上周有报道称，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。
当时他曾放下狠话称：“我们开发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。”
但是根据最新报道，有业内人士表示三星目前的3nm GAA工艺依然面临着漏电等关键技术问题，且在性能和成本方面可能也存在一些问题，或许将依然不敌台积电3nm FinFET工艺。
据此前消息，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
【三星3nm|号称功耗降一半！曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电】不过，上述人士透露，三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产，但由于成本高和性能不理想，可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户，同时他还称台积电目前已经提前拿到了苹果和英特尔的订单。

文章插图