大厂还会动这种手脚？现在买硬盘都要抽奖了……

最近正在考虑买固态硬盘的差友们，有款固态硬盘你们可能要避避坑了。
托尼先简单来给大家讲一下是怎么回事：前阵子， B站有个科技区UP主发视频揭露西数新版本SN550固态硬盘缓外写入速度直接砍半，引来了不少关注。

按照这位UP主“潮玩客”的说法，他收到粉丝反馈说西部数据7月出厂、固件以23开头的SN5501TB ，居然毫无征兆把缓外写入速度从原来800MB/s降低到了400MB/s ，没有告知消费者，也没有调低价格，随后他们经过实际测试，发现事情果然如此。

而且在测试中他们还发现西数新批次SN5501T固态不能刷回老的211210固件；之前批次的SN5501T也不能刷新批次固态上的233010固件，这意味着尽管这些固态都叫SN5501T ，它们的固件却不通用。

因此，他们猜测西数可能在SN550的硬件上做了变动，从而导致新批次固态硬盘的缓外写入速度缩水。
【大厂还会动这种手脚？现在买硬盘都要抽奖了……】这里很多差友可能还是第一次听说“缓外”写入速度这词，也不清楚它会对硬盘的使用产生哪些影响。
简单来说固态硬盘的缓存可以分为两种，一种是传统的DDR缓存，另一种则是SLC缓存，这个缓外写入速度指的就是硬盘缓存用完之后的写入速度。

DDR缓存属于内存颗粒，它跟电脑内存类似，硬盘在写入数据比较大的时候，主控会先把数据??????????保存在DDR缓存，等空闲时再将数据写入到颗粒里，从而提高写入效率。
而SLC缓存则是那些厂商为了提高硬盘读写速度，在使用MLC和TLC颗粒的固态硬盘中腾出一部分颗粒来模拟SLC的存储方式，用空间来换取读写速度的提升。
用空间换取读写速度提升的原理很简单。
我们知道目前固态硬盘主流存储颗粒可以分为SLC（单层存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元)还有QLC(四层存储单元)这四种。

存储单元被分的越多，主控从颗粒中读取数据或者写入数据所花的时间就越长。
这就好比我们在书架拿书，每一层书架如果只放一本书，我们随手就能拿走；如果放了好几本，我们拿之前肯定还要仔细分辩一下到底找的是哪本。
其中SLC是四者中表现最出色的，这是因为它每个单元只存储1bit数据，比起每单元要存储2bit数据的MLC和3bit数据的TLC在读写速度上会快上不少。

厂商在使用MLC和TLC颗粒的固态中设置一部分空间作为SLC缓存的做法说白了就是让这些原本要存储2bit或者3bit数据的存储单元只存储1bit数据。
虽然这么做硬盘的存储空间变小了，但是它的读写速度却上来了，这也是很多固态尽管使用了TLC颗粒，它的读写速度却能媲美SLC的重要原因。
这里需要强调的一点是，固态硬盘SLC缓存大小主要取决于厂商的设定，一旦SLC缓存用完，那么它接下来的读写速度就取决于它的缓外读写速度有多少了。
差友们平时用固态硬盘在传输大文件的时候，可能遇到过文件传到一半出现掉速，其中的原因就在这里~