为iPhone13提前准备，亚成微全国产化33W氮化镓快充方案评测

iPhone12的出现引爆了20WPD快充的市场，但随着时间的推移20W已经无法满足用户对于功率的需求，各大芯片厂商和方案商都在推出新品以满足市场的需求。
作为国内少数掌握氮化镓功率器件控制技术的芯片原厂之一，亚成微电子股份有限公司推出了一款全国产化33W氮化镓充电器，该方案通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，具有体积小、功率高、功耗低以及功率密度高等特点，有效帮助快充电源厂商加速中小功率氮化镓快充量产并节省物料成本，下面来看看实际表现。
【为iPhone13提前准备，亚成微全国产化33W氮化镓快充方案评测】亚成微33W氮化镓快充方案介绍

亚成微33W氮化镓快充方案主控采用亚成微自研的PWM开关控制芯片RM6601ND ，这是一款集成了高压启动、GaN驱动器、满足六级能效要求的PWM+PFM控制器。支持CCM和QR工作模式，内置700V高压启动，开关频率最高为130KHz ，支持抖频功能改善EMI ，集成斜坡补偿和高低压功率补偿。

亚成微RM6601ND集成多种工作模式，在重载情况下，以QR准谐振模式运行，工作频率130KHz ，在低压输入时会进入CCM模式；RM6601ND采用专有驱动技术，直驱E-modeGaNFET；在轻载或空载情况下，系统工作在BurstMode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下， RM6601ND本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI 。

RM6601ND同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCCOVP ，内置OTP ，外置OVP ，欠压锁定uvlo) ，逐周期过流保护OCP ，过载保护（OLP）， CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。

开关管采用英诺赛科INN650DA04 ，这是一颗DFN5*6封装的氮化镓开关管，具有小体积，散热快，开关损耗低等优势。

这款充电器的同步整流控制器同样来自亚成微自研的RM5020T ，这是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流控制芯片，外推超低导通阻抗MOSFET以提升系统效率。 MOS导通时， Vds被控制在约-30mV ， Vds一旦变为正值， MOSFET以极快速度关闭。 RM5020T采用高压自供电方式实现VCC供电，同时支持正端接法和负端接法。这使得芯片在输出电压很低甚至短路时， VCC仍可稳定供电，可直接应用于电池充电。可编程的振铃检测可防止芯片在DCM和QR模式下Vds振荡导致的错误开启。

亚成微RM5020T支持DCM、CCM、QR工作模式，开关频率最高支持200KHz ，支持宽范围输出电压。支持高侧和低侧同步整流，内置振铃检测防止误开启，具有低开关延迟。

同步整流管也采用亚成微自研的RMD070N10S ， NMOS ，耐压100V ，导阻7mΩ ， DFN5*6封装。

RMD070N10S详细资料。