半导体|令人欣慰，第三代半导体材料我们没有掉队

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随着5G、IoT物联网时代到来，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料正快速崛起。我们现在经常听到的就是氮化镓（GaN），不少充电头都宣传使用这种新材料。因为使用氮化镓材料的充电器体积可以做得更小，功率做得更大，还有容易散热，耐高温、耐高压等优势，氮化镓还有非常多的用途，是5G基站与数据中心关键零部件的制作材料。

根据Yole预计，到2025年，氮化镓射频器件将以55%的市场占有率，取代当前硅基LDMOS市场第一的位置。受益于光伏和新能源产业，预计到2025年， SiC功率器件的市场规模将达到30亿美元，年均复合增速达到30.4% 。第一代半导体材料典型代表就是硅，目前95%以上半导体芯片都是以硅作为基础材料生产的，第二代半导体材料典型代表就是砷化镓，这些我们半导体材料，我们都在追赶与补课。

第三代半导体材料我们非常重视，关乎到新基建、新能源产业发展。这一次我们国内第三代半导体器件巨大市场潜力，倒逼上游材料供应商发展。国内目前对第三代半导体材料投资热情高涨，根据CASA Research不完全统计，去年有24笔投资扩产项目，投资扩产金额高达694亿元。

【半导体|令人欣慰，第三代半导体材料我们没有掉队】

自从华为被打压制裁后，我们就已经深刻明白半导体产业必须靠自己，别人根本靠不住。