QLC闪存|替代HDD！大容量存储时代QLC未来可期( 二 )

因此那段时间NAND闪存的制程工艺一路飙升，从50nm不断升级最终发展到10nm工艺制程，不过人太多也会“喘不过气”，随着2D-NAND闪存工艺的提升，由于闪存的特性，其可靠性会随之降低。
但是有了3D-NAND堆栈，情况就变得不一样了，以三星870 QVO为例子，其采用的都是堆栈90层以上V-NAND闪存颗粒，不仅容量变得更大，可靠性也随着堆栈层数的上升而提高。
因此顶配的8TB版本的寿命高达2880TBW，这意味着即便一天读写1TB的数据，也可以用上接近8年。
即便主流消费者选择的870 QVO 1TB版本，写入寿命为360TBW，一般每天日常读写40G左右，同样也能用上十几二十年，所以关于寿命的问题。
目前主流的QLC固态寿命，已经可以满足大部分用户的需求。
新一代QVO的性能到底如何？
在新一代870 QVO上市的时候，PConline也对其进行了评测，新一代QVO系列的颗粒和主控都有进行升级，并且增加了8TB的超大容量选择。
读写性能方面，虽然QLC闪存的连续读写性能比HDD硬盘没强上多少，但是可以通过智能TurboWrite技术，硬盘在数据传输过程中会创建一个固定空间的高性能SLC写缓冲区，大幅提高写入速度。

文章图片

像三星870 QVO 4TB版本就拥有78G的动态SLC缓存空间，基本可以满足日常的使用需求，可能有些小伙伴会担心写入放大的情况，实际上动态SLC缓存并不会对同一区块进行反复擦写，而是会智能选取，所以这是一项性能与寿命兼顾的技术。
总结：QLC固态的诞生，顺应了时代潮流
随着时代发展和5G网络的普及，未来我们对于大容量存储的需求势必进一步加大，而QLC固态硬盘的诞生正是顺应了这股时代潮流，大容量、高随机读写的特点无论在消费级还是企业级领域必然会有更广阔的发挥空间。
反之，现在HDD硬盘为了实现大容量，开始采用SMR（叠瓦式磁记录）技术，在擦写可靠性方面的优势已经不再，未来HDD硬盘被QLC硬盘所取代，可能只是时间问题了。