Intel今天宣布了全新的工艺路线图 ， 一个最核心的变化就是改名：10nmEnhancedSuperFin改名为Intel7 ， 7nm改名为Intel4 ， 未来还有Intel3 ， 以及全新晶体管架构的Intel20A、Intel18A 。 Intel表示 ， 此前的工艺节点命名规则始于1997年 ， 都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm) ， 但是近些年来 ， 工艺命名和栅极宽度已经不匹配 ， 因此Intel启用了新的命名方式 ， 便于产业、客户、消费者理解 。
Intel7工艺号称能耗比相对于10nmSuperFin提升大约10-15％ ， 今年底的AlderLake12代酷睿首发 ， 明年第一季度还有SapphireRapids四代可扩展至强 。


Intel4工艺全面引入EUV极紫外光刻 ， 能效比再提升大约20％ ， 明年下半年投产 ， 2023年产品上市 。
【Intel4工艺MeteorLake14代酷睿晶圆首秀:2023年发布】首发消费级产品是MeteorLake ， 已在今年第二季度完成计算单元的六篇 ， 数据中心产品则是GraniteRapids 。
MeteorLake预计将隶属于14代酷睿家族 ， 它之前还有一代RaptorLake ， 后者也是Intel7工艺 。


今天的会议上 ， Intel也首次展示了MeteorLake的测试晶圆 ， 除了新工艺还有Foveros3D立体封装 。
这一代 ， 也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片 ， 引入不同工艺、不同IP的模块 ， 借助新的封装技术 ， 整合在一起 。










再往后 ， Intel3工艺进一步优化FinFET、提升EUV ， 能效比继续提升大约18％ ， 还有面积优化 ， 2023年下半年投产 。
它也是最后一代FinFET晶体管 ， 2011年的22nm二代酷睿IvyBridge第一次引入 。


之后就是后纳米时代了 ， 工艺命名又改了新的规则 ， 首先是Intel20A ， 拥有两项革命性技术 ， RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管 ， PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线 ， 改用后置供电 ， 也可以优化信号传输 。 2024年投产 。
接下来是Intel18A ， 预计2025年初投产 ， 继续强化RibbonFET ， 还有下一代高NAEUV光刻 ， 与ASML合作 。








RibbonFET晶体管


PowerVia


传统晶圆(左)、Powervia晶圆(右)供电和信号走线对比：图片上方对应晶圆前侧

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