国产3nm新消息传出，外媒：美国后悔也晚了

芯片突破计划

在最近几年里，我国一直在进行着芯片突破计划，并定下了明确的目标，那就是在2025年实现芯片自给率70% ，为了实现这一目标，国内各大半导体企业都在加速各方面技术的国产化突破，其中中芯国际承担起了芯片制造工艺的突破，华为等企业在EDA软件方面投入研发，晶瑞股份在半导体用光刻胶领域努力前进。
【国产3nm新消息传出，外媒：美国后悔也晚了】一切都有条不紊的前行着，而在这个过程中，根据行业预判显示， 2021年将实现28nm芯片的100%自研化量产， 14nm芯片有望在2022年实现国产化量产，这一预判结果还得到了中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓君的认可。

另外，在更高精度的芯片突破方面，行业权威也给出了自己的预估时间线，其中TCL创始人李东升在6月份接受采访时就表示， “我国至少需要5年，解决高端芯片短缺的问题” 。
一系列的行业预判结论的出炉，都指向了一点，那就是我国将很快实现高端芯片的自我突破。
国产3nm新消息传出

而突破计划和目标已经出现，于是各地区也开始定调自己的芯片突破计划了，其中清华、北大、华中科技大等诸多国内顶尖高校都开始设立集成电路学院，开始为我国专项培养芯片人才。
与此同时，根据7月14日消息显示，上海方面也发布了《上海市先进制造业发展“十四五”规划》，其中就重点提到了芯片技术，其中重点表述为，在集成电路领域，提升芯片设计、制造封测、装备材料全产业链能级，而在芯片设计方向上，也传出了国产3nm芯片的新消息，据悉上海将推动骨干企业芯片设计能力进入3nm及以下。

这也就是说，当下我国在芯片设计方向的目标已经不是集中在7nm和5nm了，而是望向了更远的地方，这一目标的确定也直接是将我国相关骨干芯片设计企业拉到了和台积电、三星电子同级别的高度上，毕竟如今只有台积电和三星电子两家芯片设计厂商在探索3nm及以下制程的芯片代工技术。
美国这次后悔也晚了

看到上海的行动也就意味着， 3nm目标已经确定，接下来就是投入人才和资金去干了，而承担起这份重任的企业应该就是中芯国际了，因为在去年12月份梁孟松向中芯国际递交辞呈的事件中，根据梁孟松的介绍， 7nm代工已经可以进行风险试产，而5nm和3nm也将有序开展。
这也就是说，我国芯片代工企业已经逐步追上了全球一线阵营，再加上当下我国对于EUV光刻机和EDA软件的加速突破，相信很快我国就能够实现3nm芯片的风险试产了。
而一旦我国进入3nm风险试产，在配合上EUV光刻机的破局，届时我国将走出一条芯片领域的康庄大道，而这一切都是美国限制我国企业芯片获取所到导致的。
所以，看到如今我国在芯片领域的快速突破，外媒方面也传来评论表示，美国这次就算是后悔也晚了。
总结

的确，所谓开弓没有回头箭，早前我们抱着合作共赢的态度去寻求合作，但是却受到了美国市场的限制，现在我们在自研领域大步挺进，未来我们将自给自足，届时美国市场将失去大量客户，这就是限制带来的恶果。