英特尔|尴尬了：英特尔7nm比三星3nm强，英特尔5nm比台积电3nm强

2020年，台积电、三星的芯片工艺制程进入了5nm ，今年台积电、三星的工艺将进入4nm ，明年将进入3nm 。
而作为另外一家芯片制造大厂英特尔，确实在芯片制程上落后了，现在还在打磨10nm ，连7nm都还没推出来，预计要到明年去了。

为此，唯工艺节点论英雄的网友，一直在吐槽英特尔。不过近日专业机构Digitimes日前发表的一份研究报告，可能会让这些不断吐槽英特尔的网友，有点小尴尬。
因为大家发现，虽然工艺节点英特尔落后了，但在真正的工艺上， intel其实并没有落后什么，因为：

英特尔的10nm工艺，相当于台积电的7nm工艺，接近三星的5nm工艺。
英特尔的7nm工艺，甚至比三星的3nm还要强，比肩台积电的5nm工艺。
英特尔的5nm工艺，比台积电的3nm还要强，甚至比肩IBM之前公布的2nm工艺。

那么这个是怎么算出来的， Digitimes是采用业界比较公认的一项参数，也就是晶体管密度算出来的，即每平方毫米的芯片中，晶体管的个数是多少。
我们知道在严谨的芯片工艺中，所谓的芯片工艺提升，是以缩小沟道长度为目标的，芯片工艺其实指源极与漏极间的距离，在10nm前，各芯片厂商都是严格遵守的。

但后来到了10nm后，工艺提升越来越难，芯片制造厂商们就不再遵守这个规则了，开始玩起了游戏。
在2019年的时候，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森就明确表示过过“现在描述工艺水平的XXnm说法已经不科学了，因为它与晶体管栅极已经不是绝对相关了。制程节点已经变成了一种营销游戏，与科技本身的特性没什么关系了。 ”
也就是从那时候起，台积电、三星开始玩起了数字游戏，芯片工艺不断提升，但实际晶体管密度，并没有提升多少，只有英特尔，则还基本在遵守这个规则。
【英特尔|尴尬了：英特尔7nm比三星3nm强，英特尔5nm比台积电3nm强】
所以也就有了从晶体管密度来看，虽然英特尔工艺落后，但这项参数却并没有落后的原因。
所以以后大家关于芯片工艺节点，其实也不用太认真的，不同公司的工艺节点定义和标准是不一样的，用XXnm来看谁的技术强，谁的技术弱，其实并不太科学啦。
而从这个晶体管密度参数来看，英特尔现在的技术其实与三星差不太多，毕竟明年英特尔7nm量产，相当于三星的3nm ，但还是落后于台积电的。