光刻机|国家队发力,EUV光刻机三大核心技术宣告突破,ASML预言成真?



EUV光刻机是我国芯片“去美化”道路上的一大壁垒 , 在ASML受限于老美出口管制规则而无法出口情况下 , 我们决定自主研发 。
不曾想 , ASML却泼来冷水 , 表示“即便给我们图纸也造不出来” 。 在很多人看来 , ASML是碍于光刻市场原因 , 有意在打击我们的研发积极性 。
然而 , 吴汉明院士在第五届数科大会上居然也发表了类似的观点:EUV光刻机是全球智慧的结晶 , 所含精密零件超过10万个 , 全球供应商超过5千家 , 仅凭我们一己之力来研发是不现实的 。
这足以证明EUV设备真的很复杂 , 研发起来的确有难度 。
但是 , 在老美无底线的打压之下 , 国内半导体市场没有“知难而退”的余地 , 再难也要上 。 何况 , 再尖端的设备也是人造的 , 而非神造的 , 海外能做到 , 那我们就一定可以做得更好 。 对EUV设备的研发 , 或许无法一蹴而就 , 但若是对其核心技术进行逐一突破 , 显然思路就清晰多了 。
EUV光刻机虽然精密复杂 , 但是它关键的核心技术却只有三个 , 分别是:光源、双工件台系统和光学镜头 。
首先 , 在光源方面 。
清华大学唐传祥教授带领的科研团队 , 通过SSMB验证的新型粒子加速器“稳态微聚束” , 其波长可从太赫兹覆盖到极紫外光波段 , 而极紫外光正是EUV的工作光源 。
这意味着 , 在EUV光源领域 , 我们已经打破了美国的垄断 , 实现了自主可控 。
其次 , 在双工件台系统方面 。
北京华卓精科在清华科研团队的助力下 , 早在2019年底 , 就已经突破ASML公司在双工作台系统领域的垄断 。 其生产的光刻机双工件台主要应用于65nm及以下节点的ArF干式、浸没式步进扫描光刻机、KrF步进扫描光刻机 , 单台系列产品应用于i线、g线步进扫描光刻机及封装光刻机等
是除了ASML之外 , 全球第二家掌握该技术的公司 。
最后 , 在光学镜头方面 。
有着“国家队”之称的中科院 , 研发出了国内首台高能同步辐射光源设备 , 这是全球亮度最高的第四代同步辐射光源之一 。 该设备不仅填补了我们在该领域的空白 , 更让我们摆脱了依赖 。
据央视报道 , 该设备目前正在安装阶段 , 工程总量已完成了70%以上 , 可以说是落地在即了 。
另外 , 央视报道还提到了另外两项由中科科美取得的技术成果 , 分别是直线式劳埃透镜镀膜装置、纳米聚焦镜镀膜装置 。 这两项应用于光刻机镜头的科研成果 , 将对EUV光学镜头的研发完善提供巨大的技术支撑 。
至此 , 国内市场对EUV光刻机三大核心技术的研发 , 已正式宣告突破 。
或许很多人会问 , EUV设备的10万个精密零件该怎么办?其实这个完全不用担心 , 我国拥有着全球最大的制造市场 , 零件生产正是我们的强项 。 而且 , EUV零件再多、再精 , 还能比得过航母?
目睹我国在光刻领域的不断破冰 , 此前泼冷水的ASML也终于说了实话 。 ASML首席官Peter预言 , 三年之后中国就将主掌握EUV研发技术 , 十五年时间 , 就将拥有极为完善的芯片产业链 。
事实上这并非“捧杀” , 从国内市场在集成电路产业上做的布局来看 , ASML预言或将成真 。
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