3nm|三星3nm工艺成功流片性能提高约30%

2026-11-16

芯研所：三星成功流片了3nm GAA芯片，功耗降低了50%，性能提高了约30%，不过是否能量产还是有待考究。
全球目前量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。
在3nm节点，三星比较激进，直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准，这次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的，双方联合验证了该工艺的设计、生产流程，是3nm GAA工艺的里程碑。
不过三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情，官方只说GAA架构改进了静电特性，提高了性能，降低了功耗。
3nm GAA工艺流片意味着该工艺量产又近了一步，不过最终的进度依然不好说，三星最早说在2021年就能量产，后来推迟到2022年，但是从现在的情况来看，明年台积电3nm工艺量产时，三星的3nm恐怕还没准备好，依然要晚一些。
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