芯片|通过光刻和蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性（1）( 二 )

为了说明我们的方法，考虑图1所示的典型光刻工艺控制框架。因为局部PEB温度可以直接控制局部CD ，所以如果通过适当调整PEB温度空间分布可以平衡整个晶片CD变化源，则可以最小化整个晶片的显影后/蚀刻后CD变化1 。
通过将PEB温度与多区域烘烤板区域控制器偏移相关联的温度-偏移模型或者将CD与多区域烘烤板区域控制器偏移相关联的CD-偏移模型，可以获得对应于最小化CD扩散的期望PEB温度分布的最佳加热器区域控制器偏移。这些模型是通过一组设计好的实验从实验中提取出来的。还通过平行设计的实验提取了KrF和ArF抗蚀剂的局部光致抗蚀剂PEB热敏性。
如图2所示，在裸硅衬底上涂覆2950 KrF DUV抗蚀剂。光刻工具是一个248纳米波长扫描仪，以及一个现代跟踪功能的多区PEB烘烤板模块。使用最先进的CD扫描电子显微镜(SEM)来测量横跨每个晶片的45个管芯处的线间距光栅上的抗蚀剂CD 。
本文的其余部分组织如下。第二节介绍了多区烘烤板和从实验设计(DOE)中提取的经验温度偏移模型和临界尺寸偏移模型。第三节介绍了显影后[即显影检查或(DI)
CD均匀性控制方法以及蚀刻后[即最终检查或(FI)
CD均匀性控制方法。获取基线光刻-蚀刻工艺特征的表征实验和蚀刻后CD均匀性控制的验证实验在第四节中描述。最后，第五部分给出了结论和讨论。