光刻机|中科院EUV光刻机新消息，结局基本清晰了

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也许你在用的电脑，所用芯片的工艺还是14纳米，但是现在的芯片制造工艺，已经推进到了3纳米。

而且，芯片工艺的推进速度，还没有看到减慢的迹象，例如台积电近日就宣布，其3纳米研发团队，开始向1.4纳米进发。
制造工艺这么先进的芯片，离不开精良的设备，也就是EUV光刻机，正如大家所了解的，我们还无法进口这款设备。

因此即使是5纳米芯片，大陆中企晶圆厂也无法进行实验性的量产。
很显然，如果要打破这样的局面，基本就是两个办法。
第一个，寄希望ASML可以获得授权，开放向我们供货，但是这个选择就显得太被动了，如果迟迟不开放，那岂不是我们永远都无法制造先进工艺的芯片了。

所以第二种办法更靠谱一些，也就是自主研发。
相信有的朋友还记得，在2020年的时候，中科院院长白崇礼曾经表示，将会解决一批卡脖子的问题，其中光刻机就赫然在列，当然，这里指的就是EUV光刻机。
当时不禁有网友表示， ASML研发EUV相关的技术有二十多年历史，我们则刚宣布要解决这个问题，是不是有点不太现实了。

那么真的如此吗？其实不然。
实际上，中科院早就开始了在EUV方面的技术研发，而ASML方面其实也传出消息， EUV光刻机的“大门”正在向中企打开了，结局已经基本清晰了。
可能很多朋友不知道，在某个科技领域要计划实现突破，甚至国产替代，不是马上组织实施，给资金、给团队、给资源等就可以解决的，这需要很多的积累，其中非常重要的就是专利积累。

这是因为，如果你没有申请到足够的专利，那么在以后的设备研发上，很可能你就会侵权。
ASML在光刻机领域已经很强大了吧，但是ASML依然需要在专利方面深耕，例如在2019年， ASML就向尼康支付了1.5亿欧元的专利诉讼和解费用。

在更早的2007年， ASML还与佳能进行了专利方面的交叉授权。

因此如果没有一定的专利积累，将会很难在这个领域立足。
而我们发现，中科院早在2002年就开始研发EUV方面的技术，并且已经申请了专利。

可以看到，在2002年6月24日，中科院光电院就申请了一项“自适应全反射极紫外投影光刻物镜”的专利。
在专利的摘要解析当中明确指出，该专利技术用于EUV光刻机当中。

但中科院的努力可不止这些，除了上面我们谈到的中科院光电院，还有中科院长光所、上光所、微电子所和高能物理研究所等。
其中已经申请的EUV专利上百项，就在今年的三月份，则刚刚公开了一项新的EUV专利，申请方为中科院上光所。

由此可见，在白院长2020年宣布要解决卡脖子的EUV光刻机时，其实中科院方面早就努力了至少18年的时间。
很显然，多年的专利积累，已经为我们实现EUV光刻机走向量产，做好了一条护城河。