一个热知识|台积电在第三代半导体领域的竞争力如何？( 三 )

世界先进，有望今年如期量产
对于第三代半导体，世界先进董事长方略是这么看的， “即使再过5年，第三代半导体产值也未必超过（半导体整体市值的）1％，但是新材料（碳化硅、氮化镓）衍生的商机，将突破硅材料无法做到的领域，将是值得探索的崭新世界。 ”
正是看到了第三代半导体所衍生出来的巨大商机，世界先进在2018年就宣布朝量产氮化镓芯片的目标努力。去年11月的法说会上，方略指出，基于GaNonQST制程的产品已经有客户进行原型设计与送交制造，目前已经出货的两批产品线都通过可靠性测试，预计2021年底前会完成所有的程序设计，顺利的话2022年上半年会看到有实际产品面世。
在技术方面，世界先进建立完整的氮化镓加工技术，除了前后段制程都自行完成，同时也会建立自己的晶圆薄化技术。
基板方面，世界先进与联电一样，选择QST基板技术，凭借着QST基板材料，世界先进将生产出8英寸氮化镓晶圆，如果能与世界先进既有的8英寸机台设备、管理与开发相互配合使用，或许会在2022年如期量产基于QST基板的氮化镓组件。
除了传统的纯晶圆代工厂， IDM厂商也积极卡位，比如三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局。去年5月，韩国政府发布了一份先进功率半导体研发和产能提升计划，计划到2025年将市场竞争力提升到全球水平，至少有5种先进的功率半导体产品上市。韩国产业通商资源部在一份声明中表示，将与韩国国内的代工厂建立6-8英寸的制造工艺，以扩大相关的代工服务。
写在最后
代工厂抢先入局第三代半导体并非没有原因，除了那诱人的商机外，还有设备相容度。汉磊科技前总经理庄渊棋曾于论坛分析称，入氮化镓代工技术跟代工厂原本的设备相容度达9成以上，且氮化镓有机会转到8英寸厂投片，因此只要多添购专用设备就好了。
当前联电、世界先进都已经向8英寸迈进，相信在不远的未来，代工厂们在第三代半导体领域的付出会相继显现，这个产业也将变得更加旺盛。