数字经济时代 ， 芯片扮演着重要角色 。 得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等 ， 我国的半导体产业正在蓬勃发展 ， 并不断拉近与先进地区、企业的差距 。
【芯片|国产内存芯片和三星的技术差距有几年：答案揭晓】
日前 ， 韩国研究机构OERI在报告中称 ， 估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年 。具体来说 ， 三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片 ， 国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm（1y或者说16/17nm） 。
一般而言 ， DRAM每一代的演进时间是2年到2年半 。按照正常节奏 ， 国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距 ， 可目前有一个比较棘手的问题在于 ， 三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV（极紫外光刻）设备 ， 而这对我们来说 ， 暂时还没法获取 。

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