台积电|如张忠谋预料！台积电在美建厂已经食言了，有三大风险！

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台积电曾经表示不会在美建厂，也没有在美建厂的计划，结果却突然宣布在美建厂，并表示在美建厂符合台积电的利益。如今，台积电工厂已经进入关键阶段，台积电张忠谋再次表态“在美建厂成本太高，我们太天真了。 ”这似乎有退却之意？

【台积电|如张忠谋预料！台积电在美建厂已经食言了，有三大风险！】但现在建厂已经进行一半左右，退出固然可以降低损失，但前面的投资就相当于彻底打水漂了，许可之事就将更是遥遥无期。如果继续建下去，投资增加，将会超出120亿美元，关键是补贴也没有到账，未来经济效益也不会太理想，否则，张忠谋也不会做出上述表态。
当然，台积电食言了，还是因为以下三点原因。
第一、担心技术泄露。
美一直都想要台积电最先进的芯片制造技术，毕竟，英特尔至今还不能量产7nm芯片，而5nm工艺对美而言，已经是很先进了。据悉，美要求LG化学在美建厂，并主动要求LG化学交出相关电池实验的核心数据，这明显是想要LG化学的电池生产制造技术。在这样的情况下，台积电自然也担心其工厂建成后， 5nm芯片生产制造技术被剽窃。

第二、担心出货受到更大的影响。
因为没有自由出货许可，台积电出货已经受到了影响，倘若台积电将更多工厂放在美本土，其出货可能就会受到更大的限制。毕竟， ASML就是最好的例子，其有大量的工厂在美本土，结果在美生产制造的DUV光刻机等设备，在没有许可的情况下，也不能自由出货。

第三、台积电感觉自身被抛弃了。
美已经敲定了520亿美元的补贴，但在这笔补贴中，却始终都没有提及给台积电多少补贴。另外，美日已经开始秘密联合研发2nm等芯片，要在各自的领域内发挥优势，并防止技术泄露。可以说，此举明显是想与台积电争夺芯片代工市场，这是台积电最不愿意看到的事情，毕竟，台积电计划在2025年量产2nm芯片。