三星|三星3nm工艺全面超越台积电4nm工艺，功耗降低50%，性能提升35%

2026-05-12 it芯片三星台积电

三星目前计划在2030年将成为世界一流的半导体公司，目前3nm工艺是他们最强的武器，在早前传闻三星3nm工艺良率上不去，但三星打破了这些传闻，目前首个3nm晶圆已经展出，并且在今年第二季度进行大规模的量产，比台积电要更早一些。
三星首次公开3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过目前还不知道是哪款芯片型号。

对于三星已经押注了3nm工艺，三星希望借助3nm节点来超越台积电，之前高通骁龙8 Gen1就是采用了三星4nm工艺，由于功耗过大，骁龙8 Gen1+已经不再采用三星4nm工艺，而是转投到了台积电4nm工艺，所以三星要想超过台积电，必须保证其3nm工艺在功耗问题上比台积电更有优势。
三星3nm工艺采用GAA技术，这是一种全新的环绕栅晶体管，通过使用纳米片设备制造MBCFET ，取代FinFET晶体管技术，这种技术可以有效增加晶体管的性能。
三星官方表示，和7nm工艺对比， 3nmGAA技术逻辑面积提升45% ，功耗降低50% ，在性能方面提升35% ，从目前技术参数等指标来看是要由于台积电3nmFinFET工艺的。
按照三星的计划， 3nm工艺将在今年第二季度进行量产，这样的进度要比台积电3nm工艺更为激进一些。
【三星|三星3nm工艺全面超越台积电4nm工艺，功耗降低50%，性能提升35%】三星4nm在功耗问题上惨败台积电4nm工艺，目前三星已经押注3nm工艺，目前各项技术指标都要全面领先台积电3nm工艺，也希望三星3nm工艺能够大幅降低功耗提升性能，大家期待三星3nm工艺吗？

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