ufs|智能手机再提速，连续读速、写速分别可达4200MB/s、2800MB/s

目前，智能手机不断在更新换代，其中最明显的是处理器每年都会推出新版本，性能不断提升，而以此同时，手机存储也在不断升级，根据最新消息， UFS 4.0闪存也要来了，读写速度将提升2倍，进一步为手机提速。

消息显示，三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的UFS 4.0（Universal Flash Storage）存储芯片，并且已经通过JEDEC固态存储协会的认证批准。而这款存储芯片相比UFS 3.1翻倍提升，将是UFS 3.1的两倍。具体为， UFS 4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps ，基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s 。
而对于三星512GB UFS 3.1闪存芯片（2020年3月发布），我们知道，标称连续读速最高2100MB/s ，写速1200MB/s ，可以看出UFS 4.0的读写提升还是非常大啊。目前得知， UFS 4.0闪存芯片的封装尺寸只有11x13x1mm ，最大容量1TB 。
【ufs|智能手机再提速，连续读速、写速分别可达4200MB/s、2800MB/s】相信， UFS 4.0闪存芯片将很快运用到手机上，比如追求速度的游戏手机可能会首先使用。