【|Panjit Semi 推出 650V 和 1200V SiC SBD】最新的 SiC 肖特基势垒二极管专为具有零反向恢复电流的卓越性能而设计
台湾公司 Panjit Semiconductor 推出了最新的 650V 和 1200V SiC 肖特基势垒二极管 (SBD) 系列 。
这些二极管提供零反向恢复电流、低正向压降、与温度无关的开关行为、高浪涌电流能力和出色的热性能 。 此外 ， 碳化硅技术可在 -55°C 至 +175°C 的工作温度范围内提供更低的传导损耗并提供稳定性和高耐用性 。
新的 SiC SBD 面向为光伏逆变器、电动汽车充电、工业电机、电信和服务器电源以及家用电器设计功率转换电路的工程师 ， 他们面临着以更高系统效率提供更小尺寸的挑战 。
它们采用通孔型 TO-220AC、TO-263、TO-252AA 和新增的 TO-247AD-2LD/3LD 封装 ， 额定电流范围为 4 A 至 40 A 。

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