图5 1 cm激光棒450 nm的LI和WPE曲线[6
(左) , 不同工作电流下不同波长的激光棒光谱[5
(右) 。
如今 , 与基于GaAs的红外激光光源的可比系统相比 , 基于GaN的用于发射450 nm光的激光二极管仍然表现出较低的效率和较低的总输出功率 。 此外 , 由于组件更昂贵 , 而且这种新型材料系统的产量较低 , 生产成本仍然高得多 。 然而 , 它们具有独特的优势 , 即一些材料吸收红外光相当差 , 而对蓝光或紫外光的吸收很好 , 如图6所示 。
图6铜、铜、金、金的吸收光谱 。
有几家公司已经成功地将发射波长为450 nm的氮化镓激光二极管整合到输出功率超过1 kW的系统中 。 这些激光器是专为使用蓝光超强吸收的重型材料加工而设计的 。 在一些应用中 , 所有的蓝色和混合系统已经证明了它们比纯红外系统更好的性能 。 可以预见 , 随着成本的稳步降低 , 输出功率和效率的提高 , 越来越多的系统将使用GaN二极管作为它们的光源 。
来源:Blue High-Power Laser Diodes–Beam Sources for Novel Applications Photonics Views DOI:10.1002/phvs.202000018
【激光器|蓝色高功率激光二极管——用于新型应用的束源】参考文献:T. Hager U. StraussC. Eichler et al.: Power blue and green laser diodes and their applications Proc. SPIE 8640 864015 (2013).
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