阿斯麦|ASML工厂探秘：3亿美元一台的EUV光刻机首次亮相( 七 )

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ASML目前正在开发当中的高数值孔径 (High NA) EUV光刻机是基于 0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的迭代产品，其具有 0.55 数值孔径的镜头，分辨率为 8 纳米。
而现有的0.33 数值孔径透镜的 EUV 光刻系统的分辨率为 13 纳米，使得芯片制造商能够生产3/2nm及以下更先进制程的芯片，并且图形曝光的成本更低、生产效率更高。
但是，High NA EUV光刻系统造价相比前代的EUV光刻机也更高了，达到了3亿美元。
在此次CNBC的采访当中，ASML似乎也是首次公开展示了High NA EUV光刻系统EXE 5000 。不过，ASML并未介绍更多的细节信息。但从外形来看，High NA EUV光刻系统要比前代的EUV光刻系统高度更高。

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△High NA EUV光刻系统EXE 5000
值得注意的是，ASML总裁兼CEO温宁克透露，在2021年第四季度，ASML获得的价值为70.50亿欧元的新增订单当中，0.35 NA EUV光刻系统和0.55 NA EUV光刻系统的订单金额就达到了26亿欧元。
温宁克表示，ASML在2021年第四季度收到了一份TWINSCAN EXE:5000的订单。自2018年以来，ASML已经收到四份TWINSCAN EXE:5000的订单。
【阿斯麦|ASML工厂探秘：3亿美元一台的EUV光刻机首次亮相】据了解，EXE:5000主要面向的是3nm工艺，而第二代的0.55 NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200将会被用于2nm工艺的生产。
据温宁克透露，在2022年初，ASML已收到了下一代的TWINSCAN EXE:5200的第一份订单（来自英特尔），这标志着ASML在引入 0.55 NA EUV光刻的道路上又迈出了一步。
根据ASML的路线图，TWINSCAN EXE:5000将会在今年下半年出货，每小时可生产185片晶圆。而TWINSCAN EXE:5200将会在2024年底出货，每小时可生产超过220片晶圆。