红米手机|在这项配置上，Redmi K50要挑战行业最强

文章图片

文章图片

【红米手机|在这项配置上，Redmi K50要挑战行业最强】

Redmi K50 系列新机明晚发布，官方披露了新机在续航方面特性。
Redmi K50 系列新机在续航方面的配置很好概括：5000mAh 电池容量＋120W的超级快充。

官方表示，在120W超级快充的辅助下， Redmi K50 系列充满这块5000mAh的电池总共只需要19分钟（Redmi实验室数据）。这也是目前旗舰机中的顶级水准。

传统意义上讲， “大容量”和“高功率快充”很难同时实现。传统的百瓦级快充方案，往往会采用“双电芯”方案。双电芯，简单来说就是一块电池内部有两块电芯。可以同时以较高的电流对两块电芯进行充电，达到充电效率翻倍的目的。另外双电芯设计电池是两块电芯同时充电，这也解决了单电芯电池无法长时间维持峰值充电功率的缺陷。

但双电芯方案也有不足的地方，首先就是其内部“两块电池”需要额外的电池封装空间。所以在内部空间恒定的前提下，双电芯方案的电池容量一般要小于单电芯的电池。而更为关键的是，虽说双电芯提升手机的充电功率，但是双电芯的串联会导致电压翻倍，双电芯方案持续的大电压输出会最终导致电池能量的过度耗损，电池寿命也会大大缩短。
而当前5G手机由于内部需要容纳更多的镜头模组，更大尺寸的散热结构等等元器件，导致消费者对于手机的重量和厚度有很高的要求。而Redmi这次在8.48mm的机身中同时实现5000mAh的大容量和120W的高功率快充，难度可想而知。
Redmi此次的做法是，引入了小米自研「澎湃P1」充电芯片。澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构，谐振拓扑效率高达97.5% ，非谐振拓扑效率为96.8% ，热损耗直线下降 30%。同时，澎湃P1也是小米充电效率最高的4:1充电芯片，可做到0.83W/mm超高功率密度， LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm RSP 。

这就使得， Redmi K50 系列新机能够在单电芯方案的基础上，通过更先进的 4:1 电荷泵技术，实现最高120W的充电功率。这在当前的智能手机中，是非常强大的配置。
Redmi K50 系列甚至喊出了要挑战“2K旗舰最强续航”的口号。

与此同时， Redmi K50 系列新机这次还搭载了天玑9000处理器。众所周知，该处理器在功耗和发热表现上相较于友商的平台，都有着一定的优势。大电池，加上分钟级的快充，在加上功耗表现出色的芯片，最后再加上Redmi在系统底层方面的调校和优化， Redmi K50 系列新机这次在续航表现上很值得期待。