闪存|美国和韩国内存企业的技术封锁被长江存储打破了

文章图片

国产存储芯片双雄，一个是合肥长鑫，另一个就是长江存储了，目前半导体由于美国的制裁，存储领域成为为数不多的亮点之一。长江存储总部位于武汉，主要产品为3D NAND闪存晶圆及颗粒。 2021年产量提高到10万片晶圆/月，预计到2023年实现30万片/月的128层NAND产能，目前已经砸了1550亿。对标三星电子目前每月约生产48万片晶圆，而美光的月产能约为18万片。

17年，长江存储成功设计制造了中国首款3D NAND闪存， 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代128层QLC闪存，拥有发布之时最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

2021年，长江存储开始试产第一批192层3D NAND闪存芯片，有半导体投资业内人士透漏，长江存储232层内存基本已经搞定，预计大约2季度官宣。

【闪存|美国和韩国内存企业的技术封锁被长江存储打破了】
Xtacking晶栈是长江存储核心专利和技术品牌，在两片晶圆上完成独立的制造工艺，通过金属互联通道VIAs进行两片晶圆的键合。合二为一成为一个整体，有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。实现比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25% 。曾经长江存储的闪存面临没人使用的窘境，华为率先采用了长江存储生产的闪存颗粒用在Mate40 ，为长江打开了市场。