在半导体基础材料研究方面 , 我国与西方还存在较大差距 , 射频电路需要高电子迁移率 , 砷化镓、锗硅等化合物的半导体表现出比硅高得多的性能 。 我国虽然在60年代就开始研制以半导体化合物为基础的基础材料 , 但材料的商业兼容性和电性能的统一性并不理想 。 这方面有很多基础知识需要我们去体会 , 也有我们的不足之处 。 贡献大 , 研发周期长 。 一颗复杂的芯片 , 从研发到量产 , 至少需要3-5年甚至更长的时间 , 需要大量的人力、物力、财力 。 微处理器也需要复杂的软件系统 , 需要大量的人力、物力去研发 。 每年的成本是1000元 , 工程师有5万多人 。
综上所述 , 我们可以看出 , 射频芯片设计方方面面 , 开发射频芯片是一个系统工程 , 需要投入巨大的人力物力 , 需要长久地投入资金 , 需要协调好上下游供应商 , 保证各方面材料的供应 。 这些都导致了射频芯片开发不是一件易事 , 因为只要其中有一个环节有问题 , 就会深刻地影响整个芯片研发工作 , 前路仍需双脚走 , 我相信在国家的大力支持下 , 一定能够攻坚克难 , 牢牢把握射频芯片话语权!
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