三星|场效应管(FET)型号及主要参数表达含义

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场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor ，简写成FET 。为帮助大家深入了解，本文将介绍关于场效应管(FET)型号及主要参数表达含义。

场效应管主要参数含义
Idss - 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up - 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中使漏源间刚截止时的栅极电压.
【三星|场效应管(FET)型号及主要参数表达含义】Ut - 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM - 跨导.是表示栅源电压UGS - 对漏极电流ID的控制能力即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS -漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM -最大耗散功率也是一项极限参数是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM -最大漏源电流.是一项极限参数是指场效应管正常工作时漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM