在从今天凌晨的投资者会议上,Intel公布大量新处理器、新工艺的进展,力度非常猛,2025年之前就要量产5代先进工艺,推出4代酷睿处理器,一口气公布到了16代酷睿 。
在这其中,CPU工艺是重中之重,也是Intel未来酷睿、至强、ARC显卡以及封装技术的基石,这次会议上Intel进一步明确了各代工艺的量产时间及性能情况,我们来看一下 。
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在过去的2021年,Intel最重要的一步当然是量产了Intel 7(之前的10nm SF工艺)工艺,以此为基础推出了12代酷睿Alder Lake,今年的13代酷睿Raptor Lake也会继续使用Intel 7工艺,提高产能、优化性能是重点,13代酷睿这次又增加了8个效能核,总计24核32线程 。
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现在是2022年了,Intel即将进入下一个节点——Intel 4,也就是之前的7nm,这一代工艺会首次使用EUV光刻机,Intel表示该工艺将在2022年下半年投产,其晶体管的每瓦性能将提高约20% 。
首发Intel 4工艺的是14代酷睿Metor Lake,不过它要到2023年才能上市,而且除了Intel自己生产的CPU模块之外,还会使用台积电的N3工艺,应该是用于GPU模块等,如果没记错的话,这是Intel首次在官方路线图上确认使用其他厂商的工艺 。
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【Intel|Intel宣布先进CPU工艺路线图:EUV光刻今年量产 8年集成1万亿晶体管】Intel 4工艺之后是Intel 3工艺,也是基于EUV光刻的,官方称Intel 3将具备更多功能,并在每瓦性能上实现约18%的提升,预计在2023年下半年投产 。
不过从Intel的路线图来看,酷睿处理器不会使用Intel 3工艺了,因为15代酷睿Arrow Lake会直接使用20A工艺,后者是首款埃米级CPU工艺,支持RibbonFET和PowerVia这两项技术,每瓦性能上实现约15%的提升,2024年上半年投产,首发的可能是16代酷睿Lunar Lake 。
2024年对Intel来说非常关键,因为下半年就会量产18A工艺了,是20A工艺的改进版,每瓦性能上将实现约10%的提升 。
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从Intel的路线图来看,他们在未来几年中非常激进,2025年之前要量产5代工艺,甚至在2024年推出两代先进工艺,跟之前四五年都没升级14nm、10nm工艺完全不同,野心非常大 。
至于Intel的目标,那就是在2030年通过先进工艺RibbonFET、高NA EUV光刻机、Foveros 3D封装等各种技术,实现在单个设备中继承超过1万亿个晶体管,要知道目前最顶级的芯片(包括密度更高的GPU在内)也不过是百亿级晶体管,Intel要在8年内实现5-10倍的密度提升,再续摩尔定律辉煌 。
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