根据Gartner数据显示 ， 2015年至2017年 ， 等离子刻蚀设备市场规模复合增速为17% ， 超过其他前道设备市场增速 。 目前 ， 存储器件正从2D向3D结构转变 ， 逻辑器件向3nm等技术节点发展 ， 这些工艺的变化使得等离子体刻蚀设备成为更关键的设备 ， 其市场增速超过光刻机和其他前道设备 。
3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比 。 集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限 ， NAND闪存已进入3D时代 。 3DNAND制造工艺中 ， 增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数 。
刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上 ， 加工40：1到60：1的极深孔或极深的沟槽 。 根据东京电子的统计 ， 3DNAND中刻蚀设备的支出占比达到50% ， 远高于此前工艺NAND的15% 。

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