英特尔申请堆叠式叉板晶体管专利，或用于2nm、20A等先进制程工艺( 二 )

目前，还不能确定英特尔是否会将堆叠式叉板晶体管用到其2nm工艺，而英特尔也没有对其提议的叉片晶体管的性能做出任何声明或预测。
不过，既然英特尔提交了这项堆叠式叉板晶体管的专利，就表明其是有一定存在意义的。毕竟，该公司比大众更了解这项技术的可行性。
几十年来，英特尔一直采用数字递减加纳米等尺寸单位的方式来为芯片工艺节点命名，尺寸是指栅极之间的距离。前不久，该公司改变了这种命名方式，以更好地反映向新时代的过渡。
据悉，英特尔将把Intel3之后的下一个节点命名为Intel20A ，并在2024年推出该制程工艺。其中， 20A相当于2nm ， A代表“埃”（Angstrom）。
除了新的节点命名方式外，英特尔还表示，将对20A进行两大方面的突破性改进。
在该工艺节点中，英特尔将用全新的GAARibbonFET（Gate-All-AroundRibbonFET）晶体管架构取代原来的FinFET晶体管技术，并加以运用PowerVia供电技术。
此外，英特尔还表明会对Intel20A进行一些新的改进，这将推动Intel18A的发展。结合此次英特尔在晶体管架构方面的新专利来看，其对Intel20A的新改进或许就是堆叠式叉板晶体管的应用。
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参考：
https://techxplore.com/news/2022-01-intel-stacked-forksheet-transistor-patent.html
【英特尔申请堆叠式叉板晶体管专利，或用于2nm、20A等先进制程工艺】https://www.freepatentsonline.com/20210407999.pdf